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IXTY08N100D2 N Canal MOSFET IC 1000 V 800mA Tc 60W Tc Monte de superfície TO-252AA
IXTY08N100D2 N Canal MOSFET IC 1000 V 800mA Tc 60W Tc Monte de superfície TO-252AA
Especificações
Número do modelo :
IXTY08N100D2
Local de origem :
Origem
Quantidade mínima de encomenda :
1
Condições de pagamento :
TT
Capacidade de abastecimento :
100
Tempo de entrega :
3-4 dias
Detalhes da embalagem :
Caixa de cartão
Tipo de FET :
N-canal
Voltagem de saída para a fonte (Vdss) :
1000 V
Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C :
800 mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
21 Ohm @ 400mA, 0V
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
14.6 nC @ 5 V
Vgs (máximo) :
± 20V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
325 pF @ 25 V
Característica do FET :
Modo de esgotamento
Descrição

CSR8670C-IBBH-R IC Chip RF TxRx + MCU Bluetooth Bluetooth v4.0 2.4GHz 112-VFBGA
 
IXTY08N100D2 são deInventário de fábrica, por favor verifique suas demandas e por favor entre em contato conosco com o preço alvo.
 
Especificações de IXTY08N100D2
 

TipoDescrição
CategoriaProdutos de semicondutores discretos
 Transistores
 FET, MOSFET
 FETs únicos, MOSFETs
MfrIXYS
SérieEsgotamento
PacoteTubos
Estatuto do produtoAtividade
Tipo de FETN-canal
TecnologiaMOSFET (óxido metálico)
Voltagem de saída para a fonte (Vdss)1000 V
Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C800 mA (Tc)
Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs21 Ohm @ 400mA, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id-
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs14.6 nC @ 5 V
Vgs (máximo)± 20V
Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds325 pF @ 25 V
Característica FETModo de esgotamento
Dissipação de energia (máximo)60 W (Tc)
Temperatura de funcionamento-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemMontagem de superfície
Pacote de dispositivos do fornecedorTO-252AA
Embalagem / CaixaTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto de baseIXTY08

 
Características doIXTY08N100D2
 
• Normalmente no modo Ativado
•Pacotes Padrão Internacional
• Epoxies de moldagem cumprem o critério UL94V-0Classificação da inflamabilidade
 
Aplicações deIXTY08N100D2
 
• Amplificadores de som
• Circuitos de arranque
• Circuitos de protecção
• Geradores de rampa
• Reguladores actuais
• Cargas activas
 
Benefícios adicionaisIXTY08N100D2
 
• Fácil de montar
• Economia de espaço
• Alta densidade de energia
 
Classificações ambientais e de exportação deIXTY08N100D2
 

AtributoDescrição
Estatuto da RoHSConformidade com a ROHS3
Nível de sensibilidade à humidade (MSL)1 (Ilimitado)
Estatuto REACHREACH Não afectado
NomenclaturaEAR99
HTSUS8541.29.0095

 
IXTY08N100D2 N Canal MOSFET IC 1000 V 800mA Tc 60W Tc Monte de superfície TO-252AA
 

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Detalhes do produto
Número do modelo :
IXTY08N100D2
Local de origem :
Origem
Quantidade mínima de encomenda :
1
Condições de pagamento :
TT
Capacidade de abastecimento :
100
Tempo de entrega :
3-4 dias
Fornecedor de contacto
IXTY08N100D2 N Canal MOSFET IC 1000 V 800mA Tc 60W Tc Monte de superfície TO-252AA

Shenzhen Swift Automation Technology Co., Ltd.

Verified Supplier
7 Anos
chongqing, shenzhen
Desde 2012
Tipo de empresa :
Manufacturer, Exporter
Produtos principais :
, ,
Número de trabalhadores :
500~600
Nível de certificação :
Verified Supplier
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