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MOSFET JY11M para circuitos de alta frequência e com comutação dura
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Especificações
Número do modelo :
JY11M
Lugar de origem :
China
MOQ :
50pcs (amostra disponível)
Termos do pagamento :
T/T, Western Union, Paypal
Capacidade de fornecimento :
1000 pcs por dia
Prazo de entrega :
dependa da quantidade /Negotiable da ordem
Detalhes de empacotamento :
série para a exportação
Nome :
MOSFET do canal de N
Modelo N.O. :
JY11M
Tensão da Dreno-fonte :
100 V (Tc=25°C)
Tensão da Porta-fonte :
± 20V
Corrente contínua do dreno :
110A ((Tc=25°C)
Variação da temperatura de funcionamento da junção e do armazenamento :
-55~+175°C
recuperação do corpo inverso :
- Sim, sim.
Descrição

Descrição geral:


O JY11M utiliza as mais recentes técnicas de processamento de trincheiras para alcançar a alta densidade de células e reduz a resistência de ligação com alta classificação de avalanche repetitivo.
As características combinadas tornam este projeto um dispositivo extremamente eficiente e confiável para uso em aplicações de comutação de energia e uma ampla variedade de outras aplicações.

 Características:

 

● 100V/110A, RDS ((ON) =6,5mΩ@VGS=10V
● Mudança rápida e recuperação do corpo para trás
● Voltagem e corrente de avalanche totalmente caracterizadas
● Excelente embalagem para boa dissipação de calor

 

Aplicações:

 

● Mudança de aplicação
● Circuitos de alta frequência e de comutação rígida
● Gestão de energia para sistemas de inversores

 

Descrição do PIN:

 

MOSFET JY11M para circuitos de alta frequência e com comutação dura

Valores máximos absolutos ((Tc=25°C, salvo indicação em contrário):

 

Símbolo Parâmetro Limite Unidade
VD.S. Voltagem da fonte de drenagem 100 V
VGS Voltagem da fonte da porta ± 20 V
Eu...D Corrente de drenagem contínua TC=25°C 110 A
TC=100°C 82
Eu...DM Corrente de drenagem pulsada 395 A
PD Dissipação máxima de energia 210 W
TJTGST Intervalo de temperatura da junção de funcionamento e do armazenamento -55~+175 °C
RΘJC Resistência térmica-juntamento com a caixa 0.65 °C/W
RθJA
 Resistência térmica-junção com ambiente 62

 

TO220-3 Esboço do pacote:

MOSFET JY11M para circuitos de alta frequência e com comutação dura
 

Símbolo mm polegada Símbolo mm polegada
Min. Nome Max. Min. Nome Max. Min. Nome Max. Min. Nome Max.
A 4.40 4.57 4.70 0.173 0.180 0.185 Øp1 1.40 1.50 1.60 0.055 0.059 0.063
A1 1.27 1.30 1.33 0.050 0.051 0.052 e 2.54BSC 0.1BSC
A2 2.35 2.40 2.50 0.093 0.094 0.098 e1 5.08BSC 0.2BSC
b 0.77 - 0.90 0.030 - 0.035 H1 6.40 6.50 6.60 0.252 0.256 0.260
b2 1.23 - 1.36 0.048 - 0.054 L 12.75 - 13.17 0.502 - 0.519
C 0.48 0.50 0.52 0.019 0.020 0.021 L1 - - 3.95 - - 0.156
D 15.40 15.60 15.80 0.606 0.614 0.622 L2 2.50REF. 0.098REF.
D1 9.00 9.10 9.20 0.354 0.358 0.362 Øp 3.57 3.60 3.63 0.141 0.142 0.143
DEP 0.05 0.10 0.20 0.002 0.004 0.008 Q 2.73 2.80 2.87 0.107 0.110 0.113
E 9.70 9.90 10.10 0.382 0.389 0.398 Θ1 5° 7° 9° 5° 7° 9°
E1 - 8.7 - - 0.343 - Θ2 1° 3° 5° 1° 3° 5°
E2 9.80 10.00 10.20 0.386 0.94 0.401              

 

 

Para mais informações, entre em contato diretamente conosco através do e-mail: ivanzhu@junqitradinig.com

 

 

 

 

 

 
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Número do modelo :
JY11M
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50pcs (amostra disponível)
Termos do pagamento :
T/T, Western Union, Paypal
Capacidade de fornecimento :
1000 pcs por dia
Prazo de entrega :
dependa da quantidade /Negotiable da ordem
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Changzhou Junqi International Trade Co.,Ltd

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5 Anos
jiangsu, changzhou
Desde 2020
Tipo de empresa :
Manufacturer, Exporter, Trading Empresa
Produtos principais :
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100-300
Número de trabalhadores :
>100
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