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Montagem de superfície N de JY13M 40V e motorista Ic Chip do Mosfet do poder do canal de P
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Especificações
Number modelo :
JY13M
MOQ :
1 grupo
Detalhes de empacotamento :
CAIXA DO PE BAG+
Lugar de origem :
CHINA
Prazo de entrega :
5-10 dias
Payment Terms :
T/T, L/C, Paypal
Capacidade da fonte :
1000sets/day
Tensão da Dreno-fonte :
40 V
tensão da Porta-fonte :
±20V
Dissipação de poder máxima :
2W
Corrente pulsada do dreno :
30A
Velocidade de comutação rápida :
sim
Forma :
Quadrado
Descrição

JY13M N e MOSFET do canal 40V de P para o motorista do motor de BLDC


DESCRIÇÃO GERAL


O JY13M é os transistor do campo do poder do modo do realce da lógica do canal de N e de P
Qual pode fornecer o RDS excelente (SOBRE) e a baixa carga da porta. O complementar
Os MOSFETs podem ser usados na H-ponte, nos inversores e nas outras aplicações.


CARACTERÍSTICAS

Dispositivo VBR (DSS) RDS (SOBRE) MAX TJ =25ºC Pacote
N-canal 40V <30mΩ@VGS=10V, ID=12A TO252-4L
<40mΩ@VGS=4.5V, ID=8A
P-canal -40V <45mΩ@VGS=-10V, ID=-12A
<66mΩ@VGS=-4.5V, ID=-8A


●Baixa capacidade entrada
●Velocidade de comutação rápida

 

Avaliações máximas absolutas (Ta=25ºC salvo disposição em contrário)

Parâmetro Símbolo Canal de N Canal de P Unidade
Drene a tensão da fonte VDSS 40 -40 V
Tensão de fonte de porta VDSS ±20 ±20
Contínuo
Drene atual		 Ta=25ºC Identificação 12 -12
Ta=100ºC 12 -12
Corrente pulsada do dreno IDM 30 -30
Poder máximo
Dissipação		 Ta=25ºC Paládio 2 W
Ta=70ºC 1,3
Junção e armazenamento
Variação da temperatura		 TJ TSTG -55 a 150 ºC
Resistência térmica
Junção a ambiental		 RθJA 10s 25 ºC/W
Constante 60
Resistência térmica
Junção a encaixotar		 RθJC 5,5 5 ºC/W


Características elétricas (Ta=25ºC salvo disposição em contrário)

Símbolo Parâmetro Circunstâncias Minuto Tipo Máximo Unidade
Estática
VGS (th) Ponto inicial da porta
Tensão		 VDS =VGS, IDENTIFICAÇÃO =250UA N-Ch 1,7 2,5 3,0 V
VDS =VGS, IDENTIFICAÇÃO =-250UA P-Ch -1,7 -2 -3,0
IGSS Escapamento da porta
Atual		 VDS =0V, VGS =±20V N-Ch ±100 nA
P-Ch ±100
IDSS Tensão zero da porta
Drene atual		 VDS =40V, VGS =0V N-Ch 1 A
VDS =-40V, VGS =0V P-Ch -1
IDENTIFICAÇÃO (SOBRE) Dreno do Em-estado
Atual		 VDS =5V, VGS =10V N-Ch 30
VDS =-5V, VGS =-10V P-Ch -30
RDS (SOBRE) Dreno-fonte
Em-estado
Resistência		 VGS =10V, IDENTIFICAÇÃO =12A N-Ch 24 30 mΩ
VGS =-10V, IDENTIFICAÇÃO =-12A P-Ch 36 45
VGS =4.5V, IDENTIFICAÇÃO =8A N-Ch 31 40
VGS =-4.5V, IDENTIFICAÇÃO =-8A P-Ch 51 66
VSD Diodo dianteiro
Tensão		 É =1.0A, VGS =0V N-Ch 0,76 1,0 V
É =-1.0A, VGS =0V P-Ch -0,76 -1,0

 

Montagem de superfície N de JY13M 40V e motorista Ic Chip do Mosfet do poder do canal de P
 

MANUAL DO USUÁRIO DA TRANSFERÊNCIA JY13M

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Detalhes de empacotamento :
CAIXA DO PE BAG+
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CHINA
Prazo de entrega :
5-10 dias
Payment Terms :
T/T, L/C, Paypal
Fornecedor de contacto
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Changzhou Bextreme Shell Motor Technology Co.,Ltd

Verified Supplier
5 Anos
jiangsu, changzhou
Desde 2020
Tipo de empresa :
Manufacturer, Trading Empresa
Produtos principais :
Motorista Board de BLDC, Motorista IC do motor de BLDC, motorista do motor do bldc de 3 fases
Total Anual :
6000000-8000000
Número de trabalhadores :
80~120
Nível de certificação :
Verified Supplier
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