GOLE da microplaqueta de memória Flash HY5PS1G831CFP-S6 RDA, 128MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60
Características
VDD = 1,8 +/- 0.1V•VDDQ = 1,8 +/- 0.1V
Todas as entradas e saídas são compatíveis com relação SSTL_18
8 bancos
Operação das entradas de pulso de disparo inteiramente diferencial (CK, /CK)
Relação dobro da taxa de dados
Transação dos síncrono-dados da fonte alinhada ao estroboscópio bidirecional dos dados (DQS, /DQS)
Estroboscópio diferencial dos dados (DQS, /DQS)
As saídas de dados em DQS, bordas de /DQS quando leia (afiaram DQ)
As entradas de dados em centros de DQS quando escreva (centraram DQ)
No DLL da microplaqueta alinhe a transição de DQ, de DQS e de /DQS com a transição das CK
A máscara do DM escreve dados- nas bordas de aumentação e de queda do estroboscópio dos dados
Todos os endereços e entradas de controle exceto os dados, os estroboscópios dos dados e as máscaras dos dados travados nas bordas de aumentação do pulso de disparo
A latência programável 3, 4, 5 e 6 de CAS apoiou
A latência aditiva programável 0, 1, 2, 3, 4 e 5 apoiou
Comprimento estourado programável 4/8 com ambos mordidela sequencial e modo da intercalação
Oito operações internas do banco com o único RAS pulsado
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