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Ce Gd3Al2Ga3O12 GAGG único Crystal Substrates a rendimento elevado de 10x10x0.5mm
Ce Gd3Al2Ga3O12 GAGG único Crystal Substrates a rendimento elevado de 10x10x0.5mm
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Ce Gd3Al2Ga3O12 GAGG único Crystal Substrates a rendimento elevado de 10x10x0.5mm
Especificações
NÚMERO DE MODELO :
CR210628-01
Lugar de origem :
China
MOQ :
1PC
Termos do pagamento :
T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal
Capacidade da fonte :
5000pcs pelo mês
Prazo de entrega :
1-2 semanas
Detalhes de empacotamento :
Caixa limpa transparente
artigo :
Ce a rendimento elevado GAGG único Crystal Substrates de 10x10x0.5mm
Tamanho :
10x10x0.5mm
método do crescimento :
Czocharalski
Formular químico :
Gd3Al2Ga3O12
Densidade :
6.63g/cm3
Aplicação :
ANIMAL DE ESTIMAÇÃO, SPECT, CT.
Polonês :
10/5
Diâmetro máximo :
60MM
Descrição
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Ce Gd3Al2Ga3O12 GAGG único Crystal Substrates a rendimento elevado de 10x10x0.5mm

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NÚMERO DE MODELO :
CR210628-01
Lugar de origem :
China
MOQ :
1PC
Termos do pagamento :
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Capacidade da fonte :
5000pcs pelo mês
Prazo de entrega :
1-2 semanas
Fornecedor de contacto
Ce Gd3Al2Ga3O12 GAGG único Crystal Substrates a rendimento elevado de 10x10x0.5mm
Ce Gd3Al2Ga3O12 GAGG único Crystal Substrates a rendimento elevado de 10x10x0.5mm

ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd.

Verified Supplier
7 Anos
Desde 2016
Tipo de empresa :
Manufacturer, Exporter
Produtos principais :
Cristais magnetoópticos, Único Crystal Substrates, Cristais do efeito piezoelétrico
Total Anual :
5000,000-8000,000
Número de trabalhadores :
80~100
Nível de certificação :
Verified Supplier
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