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Microplaqueta de carregamento da soldadura do inversor da pilha dos transistor NGTB40N120SWG do módulo de poder de Igbt Características do App
TJmax = 175°C • Diodo reverso rápido macio da recuperação Aperfeiçoado para o interruptor de alta velocidade 10 nós para procurar um caminho mais curto a capacidade Estes são dispositivos de Pb−Free Dados básicos
Atributo de produto Valor de atributo Fabricante: onsemi Categoria de produto: Transistor de IGBT RoHS: Detalhes Tecnologia: Si Pacote/caso: TO-247-3 Montando o estilo: Através do furo Configuração: Único Tensão VCEO do emissor do coletor máxima: 1,2 quilovolts Tensão de saturação do Coletor-emissor: 2 V Tensão máxima do emissor da porta: 20 V Corrente de coletor contínua em 25 C: 80 A Paládio - dissipação de poder: 535 W Temperatura de funcionamento mínima: - 55 C Temperatura de funcionamento máximo: + 175 C Empacotamento: Tubo Tipo: onsemi Corrente de coletor contínua CI máxima: 40 A Corrente do escapamento do Porta-emissor: nA 200 Tipo de produto: Transistor de IGBT 30 Subcategoria: IGBTs Peso de unidade: 1,340411 onças
FOLHA DE DADOS DA TRANSFERÊNCIA
Aplicação
Amplamente utilizado na fase, concerto, uma comunicação da rede, Smartphones marca portáteis que os cadernos põem o Dongle das câmeras dos adaptadores Processo da ordem
Adicione as peças ao formulário do RFQ Submeta o RFQ Nós respondemos dentro de 24 horas Você confirma a ordem Pagamento Navio para fora sua ordem
Chip Diagram