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Microplaqueta do MOSFET IC do canal de IC N dos circuitos integrados de IRFB4115PBF
Microplaqueta do MOSFET IC do canal de IC N dos circuitos integrados de IRFB4115PBF
Especificações
Number modelo :
IRFB4115PBF
Lugar de origem :
Fabricante original
MOQ :
1pcs
Termos do pagamento :
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :
300000/pcs/week
Prazo de entrega :
1-3day
Detalhes de empacotamento :
Pacote original
Descrição :
MOSFET MOSFT 150V 104A 11mOhm 77nC Qg
Conservado em estoque :
300000
Método de envio :
Expresso
Estado do produto :
Na venda
Categoria de produto :
MOSFET
Montando o estilo :
Através do furo
Polaridade do transistor :
N-canal
Pacote/caso :
TO-220-3
prazo de execução :
No prazo de 3 dias
Número de lote :
Mais novo
Expresso :
Fedex, tnt, dhl, ems, levanta
Descrição

Circuitos integrados originais novos de IRFB4115PBF IC no MOSFET conservado em estoque da microplaqueta do N-canal

 

Descrição do circuito integrado:

O IRFB4115PBF é um transistor do MOSFET do poder de Infineon Technologies. É projetado comutar correntes altas com a baixa resistência do em-estado, fazendo o apropriado para uma vasta gama de aplicações da eletrônica de poder, incluindo o controlo do motor, as fontes de alimentação, e a iluminação.

 

Algumas das características chaves do IRFB4115PBF incluem:

  • avaliação da tensão da Dreno-fonte de 150 V
  • Avaliação atual do dreno contínuo de 180 A
  • Baixa resistência do em-estado do mOhm 2,2 em uma tensão da porta de 10 V
  • Velocidade de comutação rápida com baixa carga da porta
  • Avaliação da energia da avalancha de 550 mJ
  • Pacote TO-220 para a dissipação fácil da montagem e de calor

 

 

Especificação da microplaqueta de IC do circuito integrado:

Atributo de produto Valor de atributo
Fabricante: Infineon
Categoria de produto: MOSFET
RoHS: Detalhes
Tecnologia: Si
Montando o estilo: Através do furo
Pacote/caso: TO-220-3
Polaridade do transistor: N-canal
Número de canais: 1 canal
Vds - tensão de divisão da Dreno-fonte: 150 V
Identificação - corrente contínua do dreno: 104 A
RDS - na resistência da Dreno-fonte: 9,3 mOhms
Vgs - tensão da Porta-fonte: - 20 V, + 20 V
Th de Vgs - tensão do ponto inicial da Porta-fonte: 5 V
Qg - carga da porta: 77 nC
Temperatura de funcionamento mínima: - 55 C
Temperatura de funcionamento máximo: + 175 C
Modo do canal: Realce
Empacotamento: Tubo
Tipo: Infineon Technologies
Configuração: Único
Tempo de queda: 39 ns
Transcondutância dianteira - minuto: 97 S
Altura: 15,65 milímetros
Comprimento: 10 milímetros
Tipo de produto: MOSFET
Tempo de elevação: 73 ns
Quantidade do bloco da fábrica: 1000
Subcategoria: MOSFETs
Tipo do transistor: 1 N-canal
Tempo de atraso típico da volta-Fora: 41 ns
Tempo de atraso de ligação típico: 18 ns
Largura: 4,4 milímetros
Peso de unidade: 0,068784 onças

Microplaqueta do MOSFET IC do canal de IC N dos circuitos integrados de IRFB4115PBF

P/N Fabricante Empacotamento Código da data Qty
YE00411+00U152 Vishay N/A 22+ 82000
YH57-08-00517-323202 Vishay N/A 23+ 42000
YE00417+00U152 Vishay N/A 22+ 90000
Y410-F02- Vishay N/A 22+ 60000
YB25WRKW01- Vishay N/A 23+ 90000
YB15MKG03-5F Vishay N/A 22+ 35000
YB15WCKW01-1C24- Vishay N/A 22+ 59000
YE00449+01152 Vishay N/A 22+ 47000
YB16RKG01-12- Vishay N/A 23+ 26900
YB15SKW01-1D24- Vishay N/A 22+ 30000
YB215CWCKG01-5F12- Vishay N/A 23+ 90000
YB15WSKW01-5C24- Vishay N/A 23+ 80000
YNT-2216 Vishay N/A 23+ 60000
Y141732C2W Vishay N/A 23+ 60000
YB15CKG01-5D Vishay N/A 23+ 60000
Y201317K Vishay N/A 22+ 60000
Y54-F03- Vishay N/A 22+ 45000
YAZV2CTC14F Vishay N/A 23+ 98000
YZ-2RDS5551-A22 Vishay N/A 22+ 68000
YE00448+00152 Vishay N/A 23+ 35000
Y210-F01- Vishay N/A 23+ 60000
YB225CWCKW01-5D Vishay N/A 23+ 60000
YH46-26-00255-323202 Vishay N/A 23+ 60000
Y24-F02- Vishay N/A 23+ 30000
YB25SKW01- Vishay N/A 23+ 90000
YAZV26TC14F Vishay N/A 23+ 80000
YB16WCKW01-2CF05- Vishay N/A 23+ 60000
YB15MKW01-5F Vishay N/A 23+ 60000
YE00437+01152 Vishay N/A 23+ 60000
Y210-F02 Vishay N/A 22+ 60000
YB16WSKG01-1C12- Vishay N/A 22+ 45000
YE00424+01152 Vishay N/A 23+ 98000
YB25WRKG01 Vishay N/A 22+ 68000
Anos -1590 Vishay N/A 23+ 35000
Y64B-4GA-T2N Vishay N/A 23+ 60000
Y310-F02- Vishay N/A 22+ 60000

Microplaqueta do MOSFET IC do canal de IC N dos circuitos integrados de IRFB4115PBF

 

Microplaqueta do MOSFET IC do canal de IC N dos circuitos integrados de IRFB4115PBF

Q: É você produtos originais?
: Sim todos os produtos são originais e produzidos por fabricantes originais.

 

Q: Que é seu prazo de execução?
: Depende da quantidade da ordem e da estação onde você coloca a ordem.
Geralmente nós podemos enviar no prazo de 1-3 dias para a quantidade pequena, e de aproximadamente 15 dias para a grande quantidade

 

Q: Se mim colocam uma ordem, quanto tempo tomará para entregar?
: Normalmente, toma sobre somente 1-3 dias de trabalho após ter recebido o pagamento, depende da quantidade pedida e do estado conservado em estoque.
 

Q: Como você testa o produto antes que estejam embalados?
: Nós temos o procedimento restrito do QC, cada produto seremos testados com procedimentos profissionais antes de embalar.
Nós podemos enviar os bens ao LABORATÓRIO como você pediu.

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Capacidade da fonte :
300000/pcs/week
Prazo de entrega :
1-3day
Fornecedor de contacto
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Shenzhen Zesheng Semiconductor Technology Co., Ltd.

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3 Anos
shenzhen
Desde 2019
Tipo de empresa :
Distributor/Wholesaler, Agent
Produtos principais :
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Total Anual :
800000-1000000
Número de trabalhadores :
40~60
Nível de certificação :
Active Member
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