Especificações
Number modelo :
STWA48N60DM2
Lugar de origem :
Guangdong, China
Detalhes de empacotamento :
Caixa padrão
Capacidade da fonte :
1000 partes/partes por Semana
Quantidade mínima de encomenda :
1
Tipo :
MOSFET
D/C :
Novo
Tipo do pacote :
Através do furo
Aplicação :
Uso geral
Poder - máximo :
300W
Temperatura de funcionamento :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo :
Através do furo
Pacote/caso :
TO-247-3
Tipo do FET :
N-canal
Drene à tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C :
40A (Tc)
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs :
79mOhm @ 20A, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ :
5V @ 250uA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
70nC @ 10V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
3250pF @ 100V
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Vgs (máximo) :
±25V
Resíduos :
Em existência
Descrição

MOSFET da eficiência elevada para conversores de exigência

48N60DM2 - MOSFET do N-canal 600V com o diodo do corpo da Rápido-recuperação

 

Procurando um MOSFET que possa segurar os conversores de grande eficacia de exigência? Olhe não mais adicional do que o 48N60DM2. Com seus baixos carga e tempo da recuperação, combinados com o baixo RDS (sobre), este MOSFET é ideal para conversores das topologias da ponte e do fase-deslocamento de ZVS. Além do que seu desempenho excelente, o 48N60DM2 igualmente caracteriza extremamente - a baixas carga da porta e capacidade da entrada, assim como é a avalancha 100% testaram.

 

O sinal de adição, sua aspereza extremamente alta e a Zener-proteção do descolamento de dv/fazem-lhe uma escolha segura e segura. Promova seu conversor com o 48N60DM2 - a escolha perfeita para a eficiência elevada e a confiança. Este texto é significado aperfeiçoar a conversão centrando-se sobre as características e os benefícios de produto, ao usar a língua de contrato para agarrar a atenção do leitor. Destacando as vantagens do produto, os clientes são mais prováveis tomar a ação e comprar o produto.

 

 

Categoria de produto

MOSFET

Tecnologia

Si

Montando o estilo

Através do furo

Pacote/caso

TO-247-3

Polaridade do transistor

N-canal

Número de canais

1 canal

Vds - tensão de divisão da Dreno-fonte

600 V

Identificação - corrente contínua do dreno

40 A

RDS - na resistência da Dreno-fonte

65 mOhms

Vgs - tensão da Porta-fonte

- 25 V, + 25 V

Th de Vgs - tensão do ponto inicial da Porta-fonte

3 V

Qg - carga da porta

70 nC

Temperatura de funcionamento mínima

- 55 C

Temperatura de funcionamento máximo

+ 150 C

Paládio - dissipação de poder

300 W

Modo do canal

Realce

Empacotamento

Tubo

Configuração

Único

Série

STWA48N60DM2

Tipo do transistor

1 N-canal

Tempo de queda

9,8 ns

Tipo de produto

MOSFET

Tempo de elevação

27 ns

Subcategoria

MOSFETs

Tempo de atraso típico da volta-Fora

131 ns

Tempo de atraso de ligação típico

27 ns

Peso de unidade

0,211644 onças

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Peça de substituição de alta tensão do MOSFET PTD de 48N60DM2 STWA48N60DM2 para a fonte de alimentação da fonte de alimentação

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Number modelo :
STWA48N60DM2
Lugar de origem :
Guangdong, China
Detalhes de empacotamento :
Caixa padrão
Capacidade da fonte :
1000 partes/partes por Semana
Quantidade mínima de encomenda :
1
Tipo :
MOSFET
Fornecedor de contacto
Peça de substituição de alta tensão do MOSFET PTD de 48N60DM2 STWA48N60DM2 para a fonte de alimentação da fonte de alimentação

Yougou Electronics (Shenzhen) Co., Ltd.

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3 Anos
shenzhen
Desde 2008
Tipo de empresa :
Manufacturer, Exporter, Trading Company, Seller
Produtos principais :
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Número de trabalhadores :
25~30
Nível de certificação :
Active Member
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