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IMZA65R057M1H
IMZA65R057M1H
Especificações
Transistor Polarity : :
N-Channel
Product Category : :
MOSFET
Id - Continuous Drain Current : :
35 A
Pd - Power Dissipation : :
133 W
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage : :
650 V
Packaging : :
Tube
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage : :
5.7 V
Package : :
TO-247
Rds On - Drain-Source Resistance : :
74 mOhms
RoHS : :
Green available
Number of Channels : :
1 Channel
Factory Pack Quantity : :
30
Vgs - Gate-Source Voltage : :
- 5 V, + 23 V
Qg - Gate Charge : :
28 nC
Manufacturer : :
Infineon Technologies
Description :
MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
Descrição
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IMZA65R057M1H

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Detalhes do produto
Transistor Polarity : :
N-Channel
Product Category : :
MOSFET
Id - Continuous Drain Current : :
35 A
Pd - Power Dissipation : :
133 W
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage : :
650 V
Packaging : :
Tube
Fornecedor de contacto
IMZA65R057M1H

Beijing Silk Road Enterprise Management Services Co.,LTD

Verified Supplier
2 Anos
Desde 2009
Tipo de empresa :
Manufacturer, Distributor/Wholesaler, Agent, Importer, Exporter, Trading Empresa
Produtos principais :
, ,
Número de trabalhadores :
600~800
Nível de certificação :
Verified Supplier
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