Especificações
Category :
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature :
-
Vgs(th) (Max) @ Id :
2.5V @ 14mA
Operating Temperature :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case :
Die
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
15 nC @ 5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.5mOhm @ 29A, 5V
FET Type :
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :
5V
Package :
Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss) :
80 V
Vgs (Max) :
+6V, -4V
Product Status :
Not For New Designs
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
1650 pF @ 40 V
Mounting Type :
Surface Mount
Series :
eGaN®
Supplier Device Package :
Die
Mfr :
EPC
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
90A (Ta)
Power Dissipation (Max) :
-
Technology :
GaNFET (Gallium Nitride)
Base Product Number :
EPC20
Description :
GANFET N-CH 80V 90A DIE
Descrição
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EPC2021

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Category :
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature :
-
Vgs(th) (Max) @ Id :
2.5V @ 14mA
Operating Temperature :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case :
Die
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
15 nC @ 5 V
Fornecedor de contacto
EPC2021

Beijing Silk Road Enterprise Management Services Co.,LTD

Verified Supplier
2 Anos
Desde 2009
Tipo de empresa :
Manufacturer, Distributor/Wholesaler, Agent, Importer, Exporter, Trading Empresa
Produtos principais :
, ,
Número de trabalhadores :
600~800
Nível de certificação :
Verified Supplier
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