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1200V série C dupla da movimentação de poder 62mm do módulo FF200R12KT4 da ponte do inversor IGBT meia
1200V série C dupla da movimentação de poder 62mm do módulo FF200R12KT4 da ponte do inversor IGBT meia
Especificações
Número de modelo :
FF200R12KT4
Lugar de origem :
China
MOQ :
1 conjunto
Termos do pagamento :
T/T.
Capacidade da fonte :
1000sets
Tempo de entrega :
25 dias após ter assinado o contrato
Detalhes de empacotamento :
Embalagem caixa de madeira
VCES :
1200V
Nom IC de IC :
200A
IC :
320A
ICRM :
400A
Descrição

série C da metade-ponte 62mm 1200 V, módulo de movimentação duplo do poder dos módulos FF200R12KT4 do inversor IGBT

Valores avaliados do máximo

tensão do Coletor-emissor Tvj = 25°C VCES 1200 V
Corrente de coletor contínua da C.C. TC = 100°C, Tvj máximo = 175°C
TC = 25°C, Tvj máximo = 175°C		 Nom de IC
IC

200

320

A

A
Corrente de coletor máxima repetitiva tP = 1 Senhora ICRM 400 A
Dissipação de poder total

TC = 25°C,

Tvj máximo = 175°C

 Ptot 1100 W
tensão máxima do Porta-emissor VGES +/--20 V

Valores característicos

tensão de saturação do Coletor-emissor

IC = 200 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C

IC = 200 A, VGE = 15 V Tvj = 125°C
IC = 200 A, VGE = 15 V Tvj = 150°C

 VCE sentado 1,75
2,05
2,10		 2,15 V
VV
Tensão do ponto inicial da porta IC = 7,60 miliampères, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 5,2 5,8 6,4 V
Carga da porta VGE = -15 V… +15 V QG 1,80 µC
Resistor interno da porta Tvj = 25°C RGint 3,8 Ω
Capacidade da entrada f = 1 megahertz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 14,0 N-F
Capacidade reversa de transferência f = 1 megahertz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,50 N-F
corrente da interrupção do Coletor-emissor VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C CONGELA 5,0 miliampère
corrente do escapamento do Porta-emissor VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 400 nA
Tempo de atraso de ligação, carga indutiva IC = 200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C
VGE = ±15 V Tvj = 125°C
RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C		 TD sobre 0,16 0,17
0,18		 µs
µs
µs
Tempo de elevação, carga indutiva IC = 200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C
VGE = ±15 V Tvj = 125°C
RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C		 tr 0.045 0,04
0,50		 µs
µs
µs
Tempo de atraso da volta-fora, carga indutiva IC = 200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C
VGE = ±15 V Tvj = 125°C
RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C		 TD fora 0,45 0,52
0,54		 µs
µs
µs
Tempo de queda, carga indutiva IC = 200 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C
VGE = ±15 V Tvj = 125°C
RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C		 tf 0,10 0,16
0,16		 µs
µs
µs
Perda de energia de ligação pelo pulso IC = 200 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, di/dt = 4000 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGon = 2,4 Ω Tvj = 150°C		 Eternidade 10,0
15,0
17,0		 19,0
30,0
36,0
Perda de energia da volta-fora pelo pulso IC = 200 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, du/dt = 4500 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGoff = 2,4 Ω Tvj = 150°C		 Eoff 14,0
20,0
23,0		 mJ
mJ
mJ
Dados do SC ≤ 15 V DE VGE, VCC = 900 V
VCEmax = VCES - LsCE ·µs do ≤ 10 de di/dt tP, Tvj = 150°C		 ISC 800 mJ
mJ
mJ
Resistência térmica, junção ao caso IGBT/por IGBT RthJC 0.135 K/W
Resistência térmica, dissipador de calor do caseto CADA IGBT/por IGBT
λPaste = 1 com (m·K)/λgrease = 1 com (m·K)		 RthCH 0.034 K/W
Temperatura sob circunstâncias do interruptor Tvj op -40 150

°C

1200V série C dupla da movimentação de poder 62mm do módulo FF200R12KT4 da ponte do inversor IGBT meia

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China
MOQ :
1 conjunto
Termos do pagamento :
T/T.
Capacidade da fonte :
1000sets
Tempo de entrega :
25 dias após ter assinado o contrato
Fornecedor de contacto
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Hontai Machinery and equipment (HK) Co. ltd

Verified Supplier
14 Anos
guangdong, shenzhen
Desde 2000
Tipo de empresa :
Exporter, Trading Company, Seller
Produtos principais :
Atuador válvula elétrica, Válvula da central eléctrica, Relé de controle eletrônico
Total Anual :
3 Million-4 Million
Nível de certificação :
Verified Supplier
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