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Transistor SOIC-8 do canal do MOSFET N de MOS Tube do transistor de FDS6699S
Transistor SOIC-8 do canal do MOSFET N de MOS Tube do transistor de FDS6699S
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Transistor SOIC-8 do canal do MOSFET N de MOS Tube do transistor de FDS6699S
Especificações
Number modelo :
FDS6699S
Lugar de origem :
América
Detalhes de empacotamento :
Pacote original
MOQ :
discutível
Termos do pagamento :
L/C, D/A, D/P, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram,
Capacidade da fonte :
10000pcs um mês
Prazo de entrega :
3~7days
Tipo :
Mosfet
D/C :
2021
Tipo do pacote :
SOIC-8
Aplicação :
Padrão
Tipo do fornecedor :
Fabricante original, ODM, agência, varejista, outro
Meios disponíveis :
a folha de dados, foto, EDA/CAD modela, outro
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima) :
30,0 V
Temperatura de funcionamento :
-55 ℃ ℃~150
Montando o tipo :
Montagem de superfície
Drene à tensão da fonte (Vdss) :
30,0 V
Número de pinos :
8
Max Operating Temperature :
°C 150
configuração do elemento :
único
Min Operating Temperature :
-55 °C
Tempo de elevação :
12 ns
RDS em máximo :
mΩ 3,6
Número de canais :
1
RoHS :
Complacente
Descrição

Canal SOIC-8 do tubo N do MOS do transistor de FDS6699S

 

Descrição de produtos:

1. modelo do produto: FDS6699S

   

2. descrição: MOSFET

3. canal 21 A 30 V 3,6 MoHM do MOSFET N do transistor de FDS6699S 10 V 1,4 V

4. tecnologia da trincheira do elevado desempenho para extremamente - o baixo RDS (SOBRE) e o interruptor rápido

5. poder superior e capacidade de manipulação atual

6. 100% RG (resistência da porta) testado

 

 

Parâmetros tecnologicos:

Avaliação da tensão (C.C.) 30,0 V
Avaliação atual 21,0 A
Número de canais 1
Número de posições 8
Drene à resistência da fonte (sobre) (o RDS) mΩ 3,6
Polaridade N-canal
Dissipação de poder 2,5 mW
Tensão do ponto inicial 1,4 V
Capacidade entrada 3,61 N-F
Carga da porta 65,0 nC
Drene à tensão da fonte (Vds) 30 V
Tensão de divisão (dreno à fonte) 30 V
Tensão de divisão (porta à fonte) ±20.0 V
Contínuo drene atual (os Ids) 21,0 A
Tempo de elevação 12 ns

 

 

Aplicação:

Aparelhos eletrodomésticos

O FDS6699S é um MOSFET do N-canal de SyncFET™ produziu usando o processo de PowerTrench®. É projetado substituir um únicos MOSFET SO-8 e diodo de Schottky em fontes de alimentação C.C.-à-C.C. síncronos. Este MOSFET 30V é projetado maximizar a eficiência de conversão do poder, fornecendo um baixo RDS (SOBRE) e a baixa carga da porta. Inclui um diodo integrado de Schottky usando tecnologia monolítica s SyncFET™ de Fairchild de ".

 

 

Empresa Vantagens: 

Eletrônica Co. de Shenzhen Ruizhixinda, LTD.

 É uma empresa com décadas da experiência na agência por atacado de componentes eletrônicos,

Nós temos o poder da cooperação da agência e da fábrica de vários tipos dos componentes.

Armazém de armazenamento extensivo e completo dos componentes eletrônicos,

Componentes raros, raros, originais, e agora populares incluir.

Inventário para produtos originais & novos de 100%.

Se você precisa qualquer, contacte-nos por favor.

Nós forneceremos produtos perfeitos e de alta qualidade.

 

 

Imagem do produto:

Transistor SOIC-8 do canal do MOSFET N de MOS Tube do transistor de FDS6699S

 
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FDS6699S
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Pacote original
MOQ :
discutível
Termos do pagamento :
L/C, D/A, D/P, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram,
Capacidade da fonte :
10000pcs um mês
Fornecedor de contacto
Transistor SOIC-8 do canal do MOSFET N de MOS Tube do transistor de FDS6699S
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Shenzhen Res Electronics Limited

Verified Supplier
4 Anos
guangdong, shenzhen
Desde 2000
Tipo de empresa :
Manufacturer, Distributor/Wholesaler, Agent, Importer, Exporter, Trading Company, Seller, Other
Produtos principais :
, ,
Número de trabalhadores :
50~100
Nível de certificação :
Verified Supplier
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