MOSFET NOVO E ORIGINAL SOT23-3 IRLML6401TRPBF do N-canal IRLML6401
Produtos Descrição:
MOSFET; Poder; P-Ch; VDSS -12V; RDS (SOBRE) 0.05Ohm; Identificação -4.3A; Micro3; Paládio 1.3W; VGS +/-8V
MOSFET P-CH 12V 4.3A 3-Pin micro T/R do transporte
Transistor: P-MOSFET; unipolar; nível da lógica; -12V; -4.3A; 1.3W
Estes MOSFETs do P-canal do retificador internacional utilizam técnicas advancedprocessing para conseguir extremamente - a baixa em-resistência pela área do silicone. Este benefício, combinado com a velocidade de comutação rápida e o devicedesign ruggedized que os MOSFETs do poder de HEXFET® são conhecidos para, fornece o thedesigner um dispositivo extremamente eficiente e seguro para o uso na gestão do andload da bateria. Um grande leadframe termicamente aumentado da almofada foi incorporado no pacote do thestandard SOT-23 para produzir um MOSFET do poder de HEXFET com pegada a menor dos theindustry. Este pacote, dublou o Micro3™, é forapplications ideais onde imprimiu a placa que de circuito o espaço está em um prêmio. O perfil baixo (<1>
Parâmetros tecnologicos:
Tensão do ponto inicial |
550 milivolt |
capacidade da entrada |
830 PF |
Poder avaliado |
1,3 W |
polaridade |
P-canal |
Método da instalação |
Montagem de superfície |
número de pino |
3 |
pacote |
SOT-23-3 |
Temperatura de funcionamento |
-55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Empacotamento |
Fita & carretel (TR) |
Aplicações de fabricação |
Interruptores da C.C. |