Tipo :
Transistores MOS, transistores IGBT
Temperatura de funcionamento :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Montagem de superfície
Número do modelo :
TSM950N10CW
Local de origem :
Guangdong, China
Tipo de embalagem :
SOT-223-3
Aplicação :
Diodos - Rectificadores
Tipo de fornecedor :
Outros
Meios disponíveis :
Outros
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima) :
,
Saturação de Vce (máxima) @ Ib, CI :
,
Ganho atual de C.C. (hFE) (minuto) @ CI, Vce :
,
Embalagem / Caixa :
SOT-223
Resistor - base do emissor (R2) :
,
Característica do FET :
/
Drene à tensão da fonte (Vdss) :
,
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C :
,
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs :
,
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ :
/
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
,
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
,
Avaliação atual (ampères) :
,
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI :
,
Capacidade entrada (Cies) @ Vce :
,
Tensão - divisão (V (BR) GSS) :
,
Atual - dreno (Idss) @ Vds (Vgs=0) :
,
Dreno atual (identificação) - máxima :
,
Tensão - identificação da interrupção (VGS fora) @ :
,
Resistência - RDS (sobre) :
,
Atual - porta ao escapamento do ânodo (Igao) :
,
Tipo do transistor :
Transistor de potência rf mrf150
Detalhes da embalagem :
Novo e original, embalagem selada da fábrica, será bloco em um destes tipo de embalagem: Tubo, bande
Capacidade de abastecimento :
50000000 partes/partes por Dia
Quantidade mínima de encomenda :
100 peças