Tipo :
NA, Transistor de Efeito de Campo, Transistor IGBT
Temperatura de funcionamento :
NA
Tipo de montagem :
Padrão
Número do modelo :
LA4440
Local de origem :
Guangdong, China
Tipo de embalagem :
Durante todo o furo
Tipo de fornecedor :
Varejista
Meios disponíveis :
Outros
Atual - coletor (CI) (máximo) :
NA
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima) :
NA
Saturação de Vce (máxima) @ Ib, CI :
NA
Atual - interrupção do coletor (máxima) :
NA
Ganho atual de C.C. (hFE) (minuto) @ CI, Vce :
NA
Frequência - transição :
NA
Resistor - base (R1) :
NA
Resistor - base do emissor (R2) :
NA
Característica do FET :
Padrão
Drene à tensão da fonte (Vdss) :
NA
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C :
NA
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs :
NA
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ :
NA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
NA
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
NA
Avaliação atual (ampères) :
NA
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) :
NA
Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI :
NA
Capacidade entrada (Cies) @ Vce :
NA
Tensão - divisão (V (BR) GSS) :
NA
Atual - dreno (Idss) @ Vds (Vgs=0) :
NA
Dreno atual (identificação) - máxima :
NA
Tensão - identificação da interrupção (VGS fora) @ :
NA
Resistência - RDS (sobre) :
NA
Tensão - offset (Vt) :
NA
Atual - porta ao escapamento do ânodo (Igao) :
NA
Tipo do transistor :
Transistor de potência rf mrf150
Detalhes da embalagem :
Empacotamento antiestático
Capacidade de abastecimento :
1000 partes/partes por Semana
Quantidade mínima de encomenda :
10 peças