Tipo :
Chips, Transistores de Efeito de Campo, Transistores IGBT
Temperatura de funcionamento :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Através do Buraco
Número do modelo :
IRF1405PBF
Local de origem :
Guangdong, China
Tipo de embalagem :
Durante todo o furo
Aplicação :
transistor irf
Tipo de fornecedor :
Outros
Meios disponíveis :
Outros
Marca :
MOSFET P-CH 200V 11A a 220AB
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima) :
,
Saturação de Vce (máxima) @ Ib, CI :
,
Ganho atual de C.C. (hFE) (minuto) @ CI, Vce :
,
Embalagem / Caixa :
TO-220-3
Resistor - base do emissor (R2) :
,
Característica do FET :
Padrão
Drene à tensão da fonte (Vdss) :
200V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C :
11A (Tc)
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs :
500 mOhm @ 6,6A, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ :
4V @ 250UA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
44nC @ 10V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
1200pF @ 25V
Avaliação atual (ampères) :
,
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) :
10 V
Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI :
,
Capacidade entrada (Cies) @ Vce :
,
Tensão - divisão (V (BR) GSS) :
,
Atual - dreno (Idss) @ Vds (Vgs=0) :
,
Dreno atual (identificação) - máxima :
,
Tensão - identificação da interrupção (VGS fora) @ :
/
Resistência - RDS (sobre) :
,
Atual - porta ao escapamento do ânodo (Igao) :
,
Tipo do transistor :
Transistor de potência rf mrf150
Detalhes da embalagem :
Empacotamento antiestático
Capacidade de abastecimento :
1000 partes/partes por Semana
Quantidade mínima de encomenda :
10 peças