Tipo :
Transistores RF, transistores IGBT
Temperatura de funcionamento :
Padrão
Tipo de montagem :
/, Montagem de superfície
Número do modelo :
Srf6s21100
Tipo de embalagem :
Montagem de superfície
Aplicação :
De alta frequência
Tipo de fornecedor :
Agência, retalhista
Meios disponíveis :
Folha de dados
Marca :
Transistores de potência de RF
Atual - coletor (CI) (máximo) :
Padrão
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima) :
Padrão
Saturação de Vce (máxima) @ Ib, CI :
Padrão
Atual - interrupção do coletor (máxima) :
Padrão
Ganho atual de C.C. (hFE) (minuto) @ CI, Vce :
Padrão
Frequência - transição :
Padrão
Embalagem / Caixa :
Padrão
Resistor - base (R1) :
Padrão
Resistor - base do emissor (R2) :
Padrão
Característica do FET :
Diodo de Schottky (isolado)
Drene à tensão da fonte (Vdss) :
Padrão
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C :
Padrão
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs :
Padrão
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ :
Padrão
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs :
Padrão
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :
Padrão
Avaliação atual (ampères) :
Padrão
Saídas de potência :
Padrão
Tensão - avaliado :
Padrão
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) :
Padrão
Configuração :
meia ponte
Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI :
Padrão
Capacidade entrada (Cies) @ Vce :
Padrão
Termistor de NTC :
Padrão
Tensão - divisão (V (BR) GSS) :
Padrão
Atual - dreno (Idss) @ Vds (Vgs=0) :
Padrão
Dreno atual (identificação) - máxima :
Padrão
Tensão - identificação da interrupção (VGS fora) @ :
Padrão
Resistência - RDS (sobre) :
Padrão
Tensão - offset (Vt) :
Padrão
Atual - porta ao escapamento do ânodo (Igao) :
Padrão
Atual - vale (iv) :
Padrão
Tipo do transistor :
Transistor de potência rf mrf150
condição :
MRF6S21100 original e novo
Detalhes da embalagem :
Transistor de potência de RF de microondas HF/VHF/UHF MOSFET MRF6S21100
Capacidade de abastecimento :
10000 partes/partes por Semana