GOLE PARALELA 4GBIT MT41K256M16TW-107 a TI do mícron ISSI Samsung IC de Merrillchip: P Vídeo da China

Sep 15, 2024

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Descrição do produto: Memória Flash PARALELA quente EEPROM RDA EMMC MT41K256M16TW-107 I do circuito integrado da GOLE 4GBIT de IC das microplaquetas de IC da venda de Merrillchip MT41K256M16TW-107 A TI: P DDR3 SDRAM usa uma arquitetura dobro da taxa de dados para conseguir a operação de alta velocidade. A arquitetura dobro da taxa de dados éarquitetura 8n-prefetch com uma relação projetada transferirAprenda mais

GOLE PARALELA 4GBIT MT41K256M16TW-107 a TI do mícron ISSI Samsung IC de Merrillchip: P

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MT41K256M16TW-107 A TI: P

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