Especificações
Number modelo :
3LP01SS-TL-H
MOQ :
>=1pcs
Capacidade da fonte :
100000 acres/acres por Day+pcs+1-2days
Prazo de entrega :
2-3Days
Detalhes de empacotamento :
ÉBRIO
Lugar de origem :
China
Descrição :
MOSFET P-CH 30V 100MA SMCP
Montando o tipo :
Montagem de superfície
Temperatura de funcionamento :
150°C
Pacote/caso :
ÉBRIO
Tensão - fonte :
30 V
Potência - Máx. :
150mW (Ta)
Impedância (máxima) (Zzt) :
0.4Ohm
Número baixo do produto :
3LP01
Estado do produto :
Ativo
Descrição

Montagem discreta SMCP da superfície 150mW do P-canal 30 V 100mA dos produtos de semicondutor 3LP01SS-TL-H (Ta) (Ta)

 

DESCRIÇÃO DO PRODUTO

 

A número da peça 3LP01SS-TL-H é fabricada pelo onsemi e distribuída por Stjk. Como um dos distribuidores principais de produtos eletrônicos, nós levamos muitos componentes eletrônicos dos fabricantes superiores do mundo.

 

Para obter mais informações sobre de 3LP01SS-TL-H detalhou especificações, cotações, prazos de execução, termos do pagamento e mais, por favor não hesite contactar-nos. A fim processar seu inquérito, adicione por favor a quantidade 3LP01SS-TL-H a sua mensagem. Envie um e-mail a stjkelec@hotmail.com para umas citações agora.

 

PROPRIEDADES DO PRODUTO

Estado do produto
Ativo
Tipo do FET
N-canal 2 (duplo)
Característica do FET
Porta do nível da lógica
Drene à tensão da fonte (Vdss)
40V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C
10A
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs
13mOhm @ 10A, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @
2.7V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs
33nC @ 10V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
1950pF @ 20V
Poder - máximo
2W
Temperatura de funcionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo

Montagem de superfície

Pacote/caso
8-SOIC (0,154", largura de 3.90mm)
Pacote do dispositivo do fornecedor
8-SOIC

Canal discreto 30V 100mA 150mW dos dispositivos de semicondutor 3LP01SS-TL-H P

Canal discreto 30V 100mA 150mW dos dispositivos de semicondutor 3LP01SS-TL-H P

Canal discreto 30V 100mA 150mW dos dispositivos de semicondutor 3LP01SS-TL-H P

Canal discreto 30V 100mA 150mW dos dispositivos de semicondutor 3LP01SS-TL-H P

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Canal discreto 30V 100mA 150mW dos dispositivos de semicondutor 3LP01SS-TL-H P

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Number modelo :
3LP01SS-TL-H
MOQ :
>=1pcs
Capacidade da fonte :
100000 acres/acres por Day+pcs+1-2days
Prazo de entrega :
2-3Days
Detalhes de empacotamento :
ÉBRIO
Lugar de origem :
China
Fornecedor de contacto
Canal discreto 30V 100mA 150mW dos dispositivos de semicondutor 3LP01SS-TL-H P
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STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED

Active Member
4 Anos
hong kong
Desde 2010
Tipo de empresa :
Exporter, Trading Company, Seller
Total Anual :
1000000-9990000
Número de trabalhadores :
20~100
Nível de certificação :
Active Member
Fornecedor de contacto
Exigência de submissão