Carbono de silício 85% / Al2O3 Alumina Resistente a ácidos secos / Refractário / 1-3mm, 3-5mm, 5-8mm / para metalurgia / para moagem industrial

Descrição:

O carburo de silício (SiC) é um composto semicondutor composto de silício (Si) e carbono (C) e pertence à família de materiais de banda larga (WBG).dando ao semicondutor uma elevada resistência mecânicaA largura de banda e a elevada estabilidade térmica permitem que os dispositivos de SiC sejam utilizados a temperaturas de junção mais elevadas do que o silício, até mesmo superiores a 200°C.A principal vantagem do SiC em aplicações de energia é a sua baixa resistência à deriva, que é um fator-chave para dispositivos de energia de alta tensão.

Graças às suas excelentes propriedades físicas e electrónicas, os dispositivos de potência baseados no SiC estão a conduzir uma revolução radical na electrónica de potência.A sua utilização como semicondutor é relativamente novaNos últimos anos, os esforços têm-se concentrado no desenvolvimento de processos específicos e únicos de crescimento de cristais a altas temperaturas.Embora o SiC tenha diferentes estruturas cristalinas polimórficas (também chamadas de politipos), a estrutura cristalina hexagonal do politipo 4H-SiC é mais adequada para aplicações de alta potência.

Especificações:

Embalagem & DesenhoIvery

Embalagem: 1 tonelada de saco grande, 20-25 mt num contentor de 20'

Perguntas frequentes:

P: Como pode controlar a sua qualidade?

R: Para cada processo de produção, a ZhenAn tem um sistema completo de controlo de qualidade para a composição química e as propriedades físicas.e o certificado de qualidade será enviado juntamente com as mercadorias.

P: É fabricante ou comerciante?

R: Ambos, não só podemos fornecer os produtos de alta qualidade com o melhor preço, mas também podemos oferecer o melhor serviço pré-venda e pós-serviço.

P: Fornece amostras gratuitas?

R: Claro que estão disponíveis amostras gratuitas.

Q: Qual é o seu prazo?

R: Geralmente, são necessários cerca de 15 a 20 dias após a receção do PO.