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Bolacha do arsenieto de gálio de 4 polegadas, carcaça do Gaas para ligas de baixa temperatura
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Bolacha do arsenieto de gálio de 4 polegadas, carcaça do Gaas para ligas de baixa temperatura
Bolacha do arsenieto de gálio de 4 polegadas, carcaça do Gaas para ligas de baixa temperatura
Especificações
Número de modelo :
GaAs-4inch
Lugar de origem :
China
MOQ :
5pcs
Capacidade da fonte :
1000pcs/month
Tempo de entrega :
1-4weeks
Detalhes de empacotamento :
casstle 25pcs no quarto desinfetado de 100 categorias
Materiais :
Carcaças do único cristal do GaAs
indústria :
bolacha do semicondutor
Aplicação :
carcaça do semicondutor, microplaqueta conduzida, janela de vidro ótica, carcaças do dispositivo
Método :
VFG
Tamanho :
terra comum 2-6inch
Descrição

carcaças de 4inch GaAs, bolacha do GaAs para conduzido, bolachas de cristal de arsenieto de gálio, bolacha do GaAs do entorpecente de Si/Zn

(Composto de A dos elementos gálio e arsênico. É um semicondutor direto do bandgap de III-V com uma estrutura de cristal de blenda de zinco)

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Sobre o cristal do GaAs

Nome do produto: Carcaça do cristal de (GaAs) do arsenieto de gálio
Parâmetros técnicos:
Monocrystalline Arsenieto de gálio (GaAs)
Lubrificação Nenhum; Si; Cr; Te; Zn
Tipo da condutibilidade SI; N; Si; N; P
Concentração de portador do Cm -3 /> 5x10 17/~ 2x10 18> 5x10 18
Densidade de deslocação do Cm -2 <5x10 5="">
Método do crescimento e o tamanho máximo LEC & HB Ø3 “
Especificações:

Orientação geral: <100>: <110>: <111>:

Tamanho padrão: Ø3 “x 0.5mm; Ø2” x 0.5mm; Ø4 “x 0.5mm;

Nota: de acordo com as exigências e o tamanho de clientes do sentido correspondente.

Aplicação:

1. Usado principalmente na eletrônica, ligas de baixa temperatura, arsenieto de gálio.

2. O composto químico preliminar do gálio na eletrônica, é usado em circuitos da micro-ondas, em circuitos de alta velocidade do interruptor, e nos circuitos infravermelhos.

3. O nitreto do gálio e o nitreto do gálio do índio, porque os usos do semicondutor, produzem diodos luminescentes azuis e violetas (LEDs) e lasers do diodo.

Bolacha do arsenieto de gálio de 4 polegadas, carcaça do Gaas para ligas de baixa temperatura

Especificação

Bolachas do GaAs para aplicações do diodo emissor de luz

Artigo Especificações Observações
Tipo da condução SC/n-type SC/p-type com o narcótico do Zn disponível
Método do crescimento VGF 　
Entorpecente Silicone Zn disponível
Bolacha Diamter 2, 3 & 4 polegadas Lingote ou como-corte disponível
Orientação de cristal (100) 20/60/150 fora de (110) O outro misorientation disponível
DE EJ ou E.U. 　
Concentração de portador (0.4~2.5) E18/cm3
Resistividade no RT (1.5~9) E-3 Ohm.cm 　
Mobilidade 1500~3000cm2/V.sec
Densidade do poço gravura em àgua forte <5000>2 　
Marcação do laser mediante solicitação
Revestimento de superfície P/E ou P/P
Espessura 220~450um
Epitaxia pronta Sim 　
Pacote Única recipiente ou gaveta da bolacha

Bolachas do arsenieto de gálio (GaAs) para aplicações do LD

Artigo Especificações Observações
Tipo da condução SC/n-type
Método do crescimento VGF 　
Entorpecente Silicone
Bolacha Diamter 2, 3 & 4 polegadas Lingote ou como-corte disponível
Orientação de cristal (100) 20/60/150 fora de (110) O outro misorientation disponível
DE EJ ou E.U. 　
Concentração de portador (0.4~2.5) E18/cm3
Resistividade no RT (1.5~9) E-3 Ohm.cm 　
Mobilidade 1500~3000 cm2/V.sec
Densidade do poço gravura em àgua forte <500>2 　
Marcação do laser mediante solicitação
Revestimento de superfície P/E ou P/P 　
Espessura 220~350um
Epitaxia pronta Sim 　
Pacote Única recipiente ou gaveta da bolacha

Bolachas do arsenieto de gálio (GaAs), Semi-isolando para aplicações da microeletrônica

Artigo Especificações Observações
Tipo da condução Isolamento
Método do crescimento VGF 　
Entorpecente Undoped
Bolacha Diamter 2, 3 & 4 polegadas Lingote disponível
Orientação de cristal (100) +/- 0,50
DE EJ, E.U. ou entalhe 　
Concentração de portador n/a
Resistividade no RT >1E7 Ohm.cm 　
Mobilidade >5000 cm2/V.sec
Densidade do poço gravura em àgua forte <8000>2 　
Marcação do laser mediante solicitação
Revestimento de superfície P/P 　
Espessura 350~675um
Epitaxia pronta Sim
Pacote Única recipiente ou gaveta da bolacha

Bolacha do arsenieto de gálio de 4 polegadas, carcaça do Gaas para ligas de baixa temperatura

FAQ –
Q: Que você pode fornecer a logística e o custo?
(1) nós aceitamos DHL, Fedex, TNT, UPS, EMS, SF e etc.
(2) se você tem seu próprio número expresso, é grande.
Se não, nós poderíamos ajudar-lhe a entregar. Freight=USD25.0 (o primeiro peso) + USD12.0/kg

Q: Que é o prazo de entrega?
(1) para os produtos padrão tais como a lente da bola, a lente de powell e a lente do colimador:
Para o inventário: a entrega é 5 dias úteis após a ordem.
Para produtos personalizados: a entrega é as 2 ou 3 semanas de trabalho após a ordem.
(2) para os produtos do fora-padrão, a entrega é as 2 ou 6 semanas de trabalho depois que você coloca a ordem.

Q: Como pagar?
T/T, Paypal, união ocidental, MoneyGram, segurança segura do pagamento e do comércio em e etc….

Q: Que é o MOQ?
(1) para o inventário, o MOQ é 5pcs.
(2) para produtos personalizados, o MOQ é 5pcs-20pcs.
Depende da quantidade e das técnicas

Q: Você tem o relatório de inspeção para o material?
Nós podemos fornecer o relatório de detalhe para nossos produtos.

Empacotamento – Logistcs
Worldhawk refere-se a cada um detalhes do pacote, limpeza, antiestática, tratamento de choque. De acordo com a quantidade e a forma do produto, nós tomaremos um processo de empacotamento diferente!

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Número de modelo :
GaAs-4inch
Lugar de origem :
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MOQ :
5pcs
Capacidade da fonte :
1000pcs/month
Tempo de entrega :
1-4weeks
Detalhes de empacotamento :
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SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Verified Supplier
8 Anos
shanghai, shanghai
Desde 2013
Tipo de empresa :
Manufacturer, Agent, Importer, Exporter, Trading Company
Produtos principais :
Bolacha do nitreto do gálio, Bolacha da safira, Sic carcaça
Total Anual :
1000000-1500000
Nível de certificação :
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