Especificações
Número do modelo :
Substratos InSb-Te
Local de origem :
China
Quantidade mínima de encomenda :
25pcs
Condições de pagamento :
T/T
Tempo de entrega :
em 30 dias
Detalhes da embalagem :
caixa personalizada
material :
InSb-Te
Diâmetro :
2"
dopante :
TE
orientação :
(111) +/- 0,5°
Espessura :
510+/-25um
TTV :
≤10um
Método do crescimento :
CZ
Mobilidade :
> 100000@77K
Aplicação :
Substratos de semicondutores
Descrição

2 ¢ InSb-Te EPI Substratos Intervalo de banda estreita Semicondutores Substratos Hall Componentes

Descrição do InSb-Te:

Antimoneto de ínio (InSb), como uma espécie de material de semicondutor composto binário do grupo III-V, tem sido objecto de investigação no domínio dasemicondutoresA InSb é um dos materiais mais importantes do mundo desde a sua descoberta, com propriedades físicas e químicas estáveis e excelente compatibilidade de processo.espaço de banda estreita, uma massa efectiva de elétrons muito pequena e uma mobilidade de elétrons muito elevada, especialmente notável é que pertence à absorção intrínseca na faixa espectral de3-5 μm, com quase 100% de eficiência quântica, tornando-se o material preferido para a preparação de ondas médiasDetectores de infravermelhos, e as perspectivas de aplicação e a procura comercial são enormes.e a estrutura da camada de elétrons de valência também está próxima uma da outra. o átomo é dopado como um substituto para substituir o carbono no cristal e desempenha o papel de doador.CZ-pullO método pode ser utilizado para preparar materiais de corpo insb com uma certa concentração de te doping e a adição de te pode alterar o tipo condutor dos cristais insb,e também teve um impacto importante nas propriedades elétricas e ópticas dos materiaisOs estudos relevantes lançaram as bases experimentais para o crescimento espacial deTe dopado InSb.

Características do InSb-Te:

Alta concentração de transportadores Tem maior condutividade elétrica e baixa resistividade em dispositivos eletrônicos.
Alta mobilidade dos portadores Descreve os portadores num material para se moverem sob um campo elétrico.
Determinar a natureza A dopagem com telúrio pode aumentar o calor dos materiais cristalinos InSb.
Absorção de luz A dopagem com telúrio pode alterar a estrutura dos cristais InSb.
Emissão luminosa O Te-dopado InSb pode ser estimulado para produzir emissão de luz por
Excitação externa ou injecção de elétrons.
Compatibilidade O substrato InSb dopado com TE possui boa compatibilidade de rede com outros semicondutores.
Estabilidade térmica A dopagem com telúrio pode melhorar a estabilidade térmica dos materiais InSb.
Propriedade óptica A dopagem com telúrio também tem um certo efeito sobre
As propriedades ópticas dos materiais InSb

Parâmetros técnicos do InSb-Te:

Parâmetro

InSb-Te-2in-510um-PP

Método de crescimento

CZ

Suplementos

Te

Orientação

(111) +/- 0,5°

Ângulo de orientação

N/A

Arredondamento das bordas

0.25

Diâmetro

50.5+/-0.5

Espessura

510+/-25

DE orientação

EJ[01-1]+/- 0,5°

DE comprimento

16+/-2

Orientação do IF

EJ[01-1]+/- 0,5°

IF comprimento

8+/-1

CC

0.4-1.4E5@77K

Mobilidade

> 100000@77K

EPD-AVE

≤ 50

TTV

≤ 10

TIR

≤ 10

Arco-íris

≤ 10

Warp.

≤ 15

Superfície frontal

Polido

Superfície lateral traseira

Polido

Pachaging

Caixa única

Aplicações do InSb-Te:

1Dispositivos electrónicos de alta velocidade: os cristais InSb dopados com telúrio também têm potencial em dispositivos electrónicos de alta velocidade.

2Dispositivos de estrutura quântica: Os cristais InSb dopados com Te podem ser utilizados para preparar dispositivos de estrutura quântica, tais como

Poços quânticos e dispositivos de pontos quânticos.

3Dispositivos optoelectrónicos: Os cristais InSb dopados com Te podem ser utilizados para preparar vários dispositivos optoelectrónicos, tais como

Outros aparelhos e aparelhos de televisão

4Detector infravermelho: Os cristais InSb dopados com Te podem ser utilizados para preparar detectores infravermelhos de alto desempenho.

A dopagem com telúrio pode aumentar a concentração e a mobilidade dos portadores.

5• Laser infravermelhos: Os cristais InSb dopados com Te têm também potencial de aplicação no campo dos lasers infravermelhos.

A estrutura de banda dos cristais INSB pode realizar o trabalho dos lasers infravermelhos.

2

Outro produto relacionado com o InSb-Te:

Substrato SIC:

2

Perguntas frequentes:

P: Qual é a marca deTe-InSb?

A: O nome da marcaTe-InSbé ZMSH.

Q: O que é a certificação deTe-InSb?

A: A certificação deTe-InSbé ROHS.

P: Onde é o local de origem deTe-InSb?

A: O local de origemTe-InSbé a CHINA.

Q: Qual é o MOQ deTe-InSb numa só vez?

A: O MOQ deTe-InSbSão 25 peças de cada vez.

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2" InSb-Te EPI Substratos Semicondutores de banda estreita Substratos Hall Componentes

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Substratos InSb-Te
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25pcs
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Detalhes da embalagem :
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