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Substratos de semicondutores de wafer de germânio Concentração fotovoltaica CPV
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Especificações
Número do modelo :
Substratos de germânio
Local de origem :
China
Condições de pagamento :
T/T
Tempo de entrega :
2-4 semanas
Materiais: :
Único cristal do Ge
Diâmetro: :
0.5~150mm
Espessura: :
0.5 mm
Tipo: :
Tipo N/ Tipo P/ Não dopado
Superfície: :
Polido/corrido
Resistividade: :
0.1 ~ 60 ohm.cm
Indústria: :
carcaças do semicondutor, dispositivo, ótico
Descrição

Descrição do produto

Substratos de semicondutores de wafer de germânio < 111> concentrando CPV fotovoltaico

O germânio de alta pureza é dopado com elementos trivalentes (por exemplo, ínio, gálio, boro) para obter semicondutores de germânio de tipo P.e elementos pentavalentes (e.g., antimônio, arsénio e fósforo) dopados para obter semicondutores de germânio de tipo N. Eles têm alta mobilidade de elétrons e alta mobilidade de buracos.Os substratos de germânio de alta qualidade podem ser utilizados em energia fotovoltaica concentrada (CPV), painéis solares no espaço e aplicações de diodos emissores de luz (LED) de alto brilho.

Substratos de semicondutores de wafer de germânio <111> Concentração fotovoltaica CPVSubstratos de semicondutores de wafer de germânio <111> Concentração fotovoltaica CPV

Características

- A constante de rede é maior do que a do silício, o que favorece a construção de heterostruturas.

- A elevada mobilidade dos elétrons, cerca de 3 vezes superior à do silício, é favorável à fabricação de dispositivos electrónicos de alta velocidade.

- A pequena largura de banda (0,67 eV) torna-o adequado para aplicações de detecção fotoelétrica e emissões infravermelhas.

Substratos de semicondutores de wafer de germânio <111> Concentração fotovoltaica CPV

É mais sensível à radiação e é adequado para equipamentos eletrónicos sensíveis à radiação.

A tecnologia de processamento é relativamente complexa e o custo é elevado.

Parâmetros técnicos

Substratos de semicondutores de wafer de germânio <111> Concentração fotovoltaica CPV

Aplicações

1- Eletrónica analógica e RF de alta frequência: diodos de microondas, transistores, circuitos integrados; Equipamento electrónico na banda de frequências de microondas, como radar e comunicações.

2Detecção e emissão fotoeléctrica por infravermelho: detector infravermelho, aparelho de imagem térmica; diodos emissores de infravermelho, diodos laser.

3Equipamento electrónico sensível à radiação: Heterostrutura de semicondutores compostos: Sistema de aviónica aeroespacial; Centrais nucleares e equipamento electrónico no domínio militar.

4Heterostrutura de semicondutores compostos: materiais de substrato para compostos III-V, tais como GaAs, InP, etc.; células solares de estrutura heterogénea, diodos laser, etc.

Substratos de semicondutores de wafer de germânio <111> Concentração fotovoltaica CPV

Os nossos serviços

1- Fabricação e venda diretas.

2Citações rápidas e precisas.

3Responder-lhe-emos no prazo de 24 horas úteis.

4. ODM: O design personalizado é disponível.

5Rapidez e entrega preciosa.

Perguntas frequentes

1. P: Como pagar?
A:100%T/T, Paypal, West Union, MoneyGram, Pagamento seguro e comércio
Garantia no e etc..

2P: Posso personalizar os produtos com base nas minhas necessidades?
R: Sim, podemos personalizar o material, especificações para os seus componentes ópticos
com base nas suas necessidades.

3Q: Qual é o seu MOQ?
R: (1) Para inventário, o MOQ é de 3pcs.
(2) Para produtos personalizados, o MOQ é de 25pcs.

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Detalhes do produto
Número do modelo :
Substratos de germânio
Local de origem :
China
Condições de pagamento :
T/T
Tempo de entrega :
2-4 semanas
Materiais: :
Único cristal do Ge
Diâmetro: :
0.5~150mm
Fornecedor de contacto
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SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Verified Supplier
8 Anos
shanghai, shanghai
Desde 2013
Tipo de empresa :
Manufacturer, Agent, Importer, Exporter, Trading Company
Produtos principais :
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Total Anual :
1000000-1500000
Nível de certificação :
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