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2/4/6/8 polegadas Sic Substrato de sementes de carburo de silício 4H-N Tipo Alta dureza P grau R grau D grau
2/4/6/8 polegadas Sic Substrato de sementes de carburo de silício 4H-N Tipo Alta dureza P grau R grau D grau
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2/4/6/8 polegadas Sic Substrato de sementes de carburo de silício 4H-N Tipo Alta dureza P grau R grau D grau
Especificações
Número do modelo :
Semente de cristal SiC
Local de origem :
China
Quantidade mínima de encomenda :
10 por cento
Condições de pagamento :
T/T
Capacidade de abastecimento :
1000pc/month
Tempo de entrega :
em 30days
Detalhes da embalagem :
Caixa de plástico personalizada
Polytype :
4H
Diâmetro :
205±0,5 mm
Espessura :
600 ± 50 μm
Erro de orientação da superfície :
4° para <11-20>±0,5°
Resistividade :
NA
Flat :
Nenhum
Embalagem :
Caixa de vídeo de multi-wafer
Descrição

Descrição do produto:

 

2/4/6/8 polegadas Sic Substrato de sementes de cristal de carburo de silício 4H-N Tipo Alta dureza P grau R grau D grau

 

O carburo de silício (SiC), comumente referido como carburo de silício, é um composto formado pela combinação de silício e carbono.que é amplamente utilizado em materiais semicondutoresO carburo de silício é segundo apenas ao diamante em dureza, tornando-o uma excelente ferramenta abrasiva e de corte.Boa condutividade térmica torna-o adequado para aplicações de alta temperatura, como LEDs e eletrônicos de potência. Boa resistência a produtos químicos, especialmente ácidos e álcalis. Boa resistência a produtos químicos, especialmente ácidos e álcalis.Devido às suas propriedades superiores, os cristais de sementes de carburo de silício tornaram-se um material indispensável na indústria e na tecnologia modernas.

 

 

2/4/6/8 polegadas Sic Substrato de sementes de carburo de silício 4H-N Tipo Alta dureza P grau R grau D grau2/4/6/8 polegadas Sic Substrato de sementes de carburo de silício 4H-N Tipo Alta dureza P grau R grau D grau

 

 

Características:

 

  • Alta dureza:O carburo de silício é o segundo mais duro do que o diamante, tornando-o uma excelente ferramenta abrasiva e de corte.
  • Alta condutividade térmica:A boa condutividade térmica torna-o adequado para aplicações de alta temperatura, como LEDs e eletrônicos de potência.
  • Resistência à corrosão:Boa resistência a produtos químicos, especialmente ácidos e álcalis. 
  • Estabilidade a altas temperaturas:Pode ainda manter boas propriedades físicas e químicas em ambiente de alta temperatura.
  • Baixo coeficiente de expansão térmica:torna menos suscetível a deformação quando a temperatura muda, tornando-o adequado para aplicações de precisão.

 

2/4/6/8 polegadas Sic Substrato de sementes de carburo de silício 4H-N Tipo Alta dureza P grau R grau D grau

 

 

Parâmetro técnico

 

2/4/6/8 polegadas Sic Substrato de sementes de carburo de silício 4H-N Tipo Alta dureza P grau R grau D grau

 

 

Aplicações:

  
1Eletrônica: amplamente utilizada na fabricação de dispositivos semicondutores de alta potência e alta frequência, como MOSFETs e diodos.

2. Abrasivos e ferramentas de corte: Usados para fazer papel de areia, moagem de pedras e ferramentas de corte.

3Materiais cerâmicos: utilizados para produzir peças de cerâmica resistentes ao desgaste e à alta temperatura.

4Dispositivos optoelectrónicos: Excelente desempenho em aplicações optoelectrónicas como LEDs e lasers.

5Materiais de gestão térmica: utilizados em dissipadores de calor e materiais de interface térmica para melhorar o desempenho de dissipação de calor dos dispositivos eletrónicos.
 

2/4/6/8 polegadas Sic Substrato de sementes de carburo de silício 4H-N Tipo Alta dureza P grau R grau D grau

 

Personalização:

O nosso substrato de sementes de cristal SiC é certificado RoHS. A quantidade mínima de encomenda é de 10pc e o preço é por caso. Os detalhes de embalagem são caixas de plástico personalizadas.O tempo de entrega é dentro de 30 dias e aceitamos termos de pagamento T / TA nossa capacidade de abastecimento é de 1000pcs/mês. O tamanho do substrato de SiC é de 2/4/6/8 polegadas.


2/4/6/8 polegadas Sic Substrato de sementes de carburo de silício 4H-N Tipo Alta dureza P grau R grau D grau

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Perguntas frequentes:

 

1.P: Como preparar cristais de sementes de carburo de silício tipo 4H?

A: A preparação de cristais de sementes de carburo de silício tipo 4H envolve normalmente um processo complexo, incluindo a selecção de matérias-primas adequadas, purificação fina, controlo das condições de crescimento,etc.Os métodos de preparação comuns incluem o método de transferência de vapor físico (PVT).A qualidade cristalina e a orientação cristalina do cristal de semente satisfazem requisitos específicos.

 

 

2Q: Qual é a diferença entre os tipos de sementes de carburo de silício 4H e 6H?

R: Existem diferenças na estrutura cristalina entre os tipos 4H e 6H de cristais de sementes SIC, o que leva a diferenças nas suas propriedades físicas e químicas.Os cristais de semente do tipo 4H SIC geralmente têm maior mobilidade de elétrons e largura de banda mais largaA semente de SIC tipo 6H pode mostrar vantagens únicas em algumas aplicações específicas, como o campo óptico.

 

 

Tag: #Sic Crystal Seed Substrate, #H-N Tipo, #Carburo de Silício.

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Número do modelo :
Semente de cristal SiC
Local de origem :
China
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10 por cento
Condições de pagamento :
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Capacidade de abastecimento :
1000pc/month
Tempo de entrega :
em 30days
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SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Verified Supplier
8 Anos
shanghai, shanghai
Desde 2013
Tipo de empresa :
Manufacturer, Agent, Importer, Exporter, Trading Company
Produtos principais :
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Total Anual :
1000000-1500000
Nível de certificação :
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