Especificações
Número do modelo :
Semente de cristal SiC
Local de origem :
China
Quantidade mínima de encomenda :
10 por cento
Condições de pagamento :
T/T
Capacidade de abastecimento :
1000pc/month
Tempo de entrega :
em 30days
Detalhes da embalagem :
Caixa de plástico personalizada
Polytype :
4H
Diâmetro :
205±0,5 mm
Espessura :
600 ± 50 μm
Erro de orientação da superfície :
4° para <11-20>±0,5°
Resistividade :
NA
Flat :
Nenhum
Embalagem :
Caixa de vídeo de multi-wafer
Descrição

Descrição do produto:

2/4/6/8 polegadas Sic Substrato de sementes de cristal de carburo de silício 4H-N Tipo Alta dureza grau P grau R grau D grau

O carburo de silício (SiC), comumente referido como carburo de silício, é um composto formado pela combinação de silício e carbono.que é amplamente utilizado em materiais semicondutoresO carburo de silício é segundo apenas ao diamante em dureza, tornando-o uma excelente ferramenta abrasiva e de corte.Boa condutividade térmica torna-o adequado para aplicações de alta temperatura, como LEDs e eletrônicos de potência. Boa resistência a produtos químicos, especialmente ácidos e álcalis. Boa resistência a produtos químicos, especialmente ácidos e álcalis.Devido às suas propriedades superiores, os cristais de sementes de carburo de silício tornaram-se um material indispensável na indústria e na tecnologia modernas.

 

2/4/6/8 polegadas Sic Substrato de sementes de carburo de silício 4H-N Tipo Alta dureza P grau R grau D grau2/4/6/8 polegadas Sic Substrato de sementes de carburo de silício 4H-N Tipo Alta dureza P grau R grau D grau

 

Características:

  • Alta dureza:O carburo de silício é o segundo mais duro do que o diamante, tornando-o uma excelente ferramenta de abrasivo e de corte.
  • Alta condutividade térmica:A boa condutividade térmica torna-o adequado para aplicações de alta temperatura, como LEDs e eletrônicos de potência.
  • Resistência à corrosão:Boa resistência a produtos químicos, especialmente ácidos e álcalis. 
  • Estabilidade a altas temperaturas:Pode ainda manter boas propriedades físicas e químicas em ambiente de alta temperatura.
  • Baixo coeficiente de expansão térmica:torna menos suscetível a deformação quando a temperatura muda, tornando-o adequado para aplicações de precisão.

2/4/6/8 polegadas Sic Substrato de sementes de carburo de silício 4H-N Tipo Alta dureza P grau R grau D grau

Parâmetro técnico

 

2/4/6/8 polegadas Sic Substrato de sementes de carburo de silício 4H-N Tipo Alta dureza P grau R grau D grau

 

Aplicações:

1Eletrônica: amplamente utilizada na fabricação de dispositivos semicondutores de alta potência e alta frequência, como MOSFETs e diodos.

2. Abrasivos e ferramentas de corte: Usados para fazer papel de areia, moagem de pedras e ferramentas de corte.

3Materiais cerâmicos: utilizados para produzir peças cerâmicas resistentes ao desgaste e à alta temperatura.

4Dispositivos optoelectrónicos: Excelente desempenho em aplicações optoelectrónicas como LEDs e lasers.

5Materiais de gestão térmica: utilizados em dissipadores de calor e materiais de interface térmica para melhorar o desempenho de dissipação de calor dos dispositivos eletrónicos.

 
 

2/4/6/8 polegadas Sic Substrato de sementes de carburo de silício 4H-N Tipo Alta dureza P grau R grau D grau

 

Personalização:

O nosso substrato de sementes de cristais de SiC é certificado RoHS. A quantidade mínima de encomenda é de 10pc e o preço é por caso. Os detalhes da embalagem são caixas de plástico personalizadas.O tempo de entrega é dentro de 30 dias e aceitamos termos de pagamento T / TA nossa capacidade de abastecimento é de 1000pcs/mês. O tamanho do substrato de SiC é de 2/4/6/8 polegadas.


2/4/6/8 polegadas Sic Substrato de sementes de carburo de silício 4H-N Tipo Alta dureza P grau R grau D grau

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Os nossos serviços:

1- Fabricação e venda diretas.

2Citações rápidas e precisas.

3Responder-lhe-emos no prazo de 24 horas úteis.

4. ODM: O design personalizado é disponível.

5Rapidez e entrega preciosa.

 

Perguntas frequentes:

P: A sua empresa é uma fábrica ou uma empresa comercial?
R: Nós somos a fábrica e também podemos exportar nós mesmos.

P: Posso personalizar os produtos com base nas minhas necessidades?
R: Sim, podemos personalizar o material, especificações e forma, tamanho com base em suas necessidades.

Q: Quais são os seus principais produtos?
A: Existem placas de safira,sic, placas de quartzo.Também podemos produzir forma especial

produtos de acordo com o seu desenho.

 

Envie sua mensagem para este fornecedor
Envie agora

2/4/6/8 polegadas Sic Substrato de sementes de carburo de silício 4H-N Tipo Alta dureza P grau R grau D grau

Pergunte o preço mais recente
Número do modelo :
Semente de cristal SiC
Local de origem :
China
Quantidade mínima de encomenda :
10 por cento
Condições de pagamento :
T/T
Capacidade de abastecimento :
1000pc/month
Tempo de entrega :
em 30days
Fornecedor de contacto
2/4/6/8 polegadas Sic Substrato de sementes de carburo de silício 4H-N Tipo Alta dureza P grau R grau D grau
2/4/6/8 polegadas Sic Substrato de sementes de carburo de silício 4H-N Tipo Alta dureza P grau R grau D grau
2/4/6/8 polegadas Sic Substrato de sementes de carburo de silício 4H-N Tipo Alta dureza P grau R grau D grau

SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD

Verified Supplier
8 Anos
shanghai, shanghai
Desde 2013
Tipo de empresa :
Manufacturer, Agent, Importer, Exporter, Trading Company
Total Anual :
1000000-1500000
Nível de certificação :
Verified Supplier
Fornecedor de contacto
Exigência de submissão