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Sic 3C-N Tipo Dimensão Mecânica Tipo condutor para sistemas de radar Grau de produção MPD zero
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Especificações
Número do modelo :
3C-N SiC
Local de origem :
China
Quantidade mínima de encomenda :
10 por cento
Condições de pagamento :
T/T
Capacidade de abastecimento :
1000pc/month
Tempo de entrega :
em 30days
Detalhes da embalagem :
Caixa de plástico personalizada
tamanho :
2 polegadas, 4 polegadas, 6 polegadas, 5 × 5, 10 × 10
Constante dielétrica :
9,7
Dureza da superfície :
HV0,3>2500
Densidade :
3.21 G/cm3
Coeficiente de expansão térmica :
4,5 X 10-6/K
Tensão de ruptura :
5,5 MV/cm
Aplicações :
Comunicações, sistemas de radar
Descrição

Descrição do produto

Sic 3C-N Tipo Dimensão Mecânica Tipo condutor para sistemas de radar Grau de produção MPD zero

3C-SiC (Carburo de Silício cúbico) é um material semicondutor de banda larga com boas propriedades elétricas e térmicas, especialmente adequado para alta frequência,aplicações de alta potência e dispositivos eletrónicosA dopagem do tipo N é geralmente obtida através da introdução de elementos como o nitrogénio (N) e o fósforo (P), o que torna o material electronegativo e adequado para uma variedade de projetos de dispositivos eletrônicos.A distância é de aproximadamente 3A dopagem do tipo N ainda mantém uma alta mobilidade eletrônica, o que melhora o desempenho do dispositivo.A excelente condutividade térmica ajuda a melhorar a capacidade de dissipação de calor dos dispositivos de energiaA sua resistência mecânica é boa e é adequada para uso em ambientes adversos. Tem boa resistência a uma ampla gama de produtos químicos e é adequado para aplicações industriais.é utilizado em conversores de potência e motores de alta eficiência, adequado para veículos elétricos e sistemas de energia renovável.
 

Sic 3C-N Tipo Dimensão Mecânica Tipo condutor para sistemas de radar Grau de produção MPD zero

 

 

Características

  • Ampla distância de banda: distância de banda de aproximadamente 3,0 eV para aplicações de alta temperatura e alta tensão.
  • Alta mobilidade dos elétrons: o doping do tipo N proporciona uma boa mobilidade dos elétrons e melhora o desempenho geral do dispositivo.
  • Excelente condutividade térmica: possui excelente condutividade térmica e melhora efetivamente o desempenho de dissipação de calor, adequado para aplicações de alta potência.
  • Boa resistência mecânica: Tem alta dureza e resistência à compressão e é adequado para uso em ambientes adversos.
  • Resistência química: Boa resistência a uma ampla gama de produtos químicos, aumentando a estabilidade do material.
  • Características elétricas ajustáveis: Ao ajustar a concentração de dopagem, podem ser alcançadas diferentes propriedades elétricas para satisfazer as necessidades de uma variedade de aplicações.

Sic 3C-N Tipo Dimensão Mecânica Tipo condutor para sistemas de radar Grau de produção MPD zero

 

Parâmetro técnico

 

Propriedade

 Não...Tipo3C-SiC, Cristal único
Parâmetros da malha a=4,349 Å
Sequência de empilhamento ABC
Dureza de Mohs ≈9.2
Densidade 20,36 g/cm3
Coeficiente de expansão térmica 3.8×10-6/K
Índice de refração @750nm

n=2.615
Constante dielétrica c~9.66

Conductividade térmica

3 a 5 W/cm·K@298K
Falta de frequência 2.36 eV
Campo elétrico de ruptura 2-5×106V/cm

Velocidade da deriva de saturação

 2.7×107m/s

 

 

※ Carburo de silício material Propriedades é apenas para referência.

 

Aplicações

 

1- Eletrónica de potência: para conversores de potência, inversores e accionadores de elevada eficiência, amplamente utilizados em veículos eléctricos e sistemas de energia renovável.

2Equipamento de RF e Microondas: amplificadores de RF, equipamento de microondas, especialmente adequados para sistemas de comunicação e radar.

3Optoelectronics: Pode ser usado como bloco de construção para LEDs e detectores de luz, especialmente em aplicações azuis e ultravioleta.

4Sensores: Aplicados a uma ampla gama de sensores em ambientes de alta temperatura e alta potência, proporcionando um desempenho fiável.

5. Carregamento sem fio e gestão da bateria: Usado em sistemas de carregamento sem fio e dispositivos de gestão da bateria para melhorar a eficiência e o desempenho.

6Equipamento eléctrico industrial: Utilizado em sistemas industriais de automação e controlo para melhorar a eficiência energética e a estabilidade do sistema.
 
 

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Personalização

O nosso substrato SiC está disponível no tipo 3C-N e é certificado RoHS. A quantidade mínima de encomenda é 10pc e o preço é por caso. Os detalhes de embalagem são caixas de plástico personalizadas.O tempo de entrega é dentro de 30 dias e aceitamos termos de pagamento T / TA nossa capacidade de fornecimento é de 1000pcs/mês. O tamanho do substrato de SiC é de 6 polegadas.

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Perguntas frequentes

1.P: Quais são as características dos substratos de carburo de silício 3C-N?

R: O substrato de carburo de silício do tipo 3C-N tem uma elevada mobilidade eletrônica, o que faz com que o dispositivo tenha uma corrente de túnel FN menor e uma maior fiabilidade na preparação de óxido,e pode melhorar muito o rendimento do produto do dispositivoAo mesmo tempo, o 3C-SiC tem uma largura de lacuna de banda menor, o que também oferece vantagens para a sua aplicação na fabricação de dispositivos.

2Q: Como o tamanho do substrato de carburo de silício afeta a sua aplicação?

R: O tamanho (diâmetro e espessura) do substrato de carburo de silício é um dos seus principais indicadores.E quanto menor o custo do chip unitárioAo mesmo tempo, o substrato de grande tamanho também é mais propício à dissipação de calor e estabilidade do dispositivo.Substrato de carburo de silício está constantemente se desenvolvendo na direção de grande tamanho.

3Q: Qual é a relação entre o substrato SIC 3C-N e a folha epitaxial?

R: O substrato de carburo de silício de tipo 3C-N é a camada de suporte para o crescimento da folha epitaxial.e o seu tipo de dopagem, a concentração e espessura do dopante podem ser controladas com precisão de acordo com os requisitos de concepção do dispositivo.A qualidade do substrato afeta directamente a qualidade de crescimento da folha epitaxial e o desempenho do dispositivo.

 

 

Etiqueta: #Substrato de carburo de silício, #C-N tipo SIC, #Materiais semicondutores.

 

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Tipo de empresa :
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