Características da wafer InAs-Zn
 

 
- utilizam wafers INAs para a fabricação de
 
- apoiar as personalizadas com desenhos gráficos
 
- bandgap direto, emite luz de forma eficiente, usado em lasers.
 
- na faixa de comprimento de onda de 1,5 μm a 5,6 μm, estruturas de poços quânticos
 
- utilizando técnicas como MOCVD ou MBE, gravação, metalização e embalagem para obter a forma final do dispositivo
 

 
Descrições de InAs-ZnOrifícios
 
O arsênio de ínio (InAs) é um material semicondutor importante que é amplamente usado em campos como detectores infravermelhos e lasers devido à sua lacuna de banda estreita (cerca de 0,354 eV).
InAs geralmente existe na forma de um sistema de cristal cúbico, e sua alta mobilidade eletrônica faz com que ele funcione bem em dispositivos eletrônicos de alta velocidade.
As bolhas de InAs de alta qualidade podem ser cultivadas através de técnicas como a epitaxia por feixe molecular (MBE) ou a deposição de vapor químico orgânico metálico (MOCVD),que podem ser utilizados para a fabricação de detectores de infravermelhos eficientes, especialmente nas faixas 3-5 μm e 8-12 μm.
 
Além disso, a estrutura de InAs dopada com zinco (Zn) pode ajustar sua condutividade para formar semicondutores de tipo p ou n, otimizando assim suas propriedades elétricas.
O desenvolvimento dos poços quânticos e das estruturas de pontos quânticos aumentou ainda mais o potencial de aplicação dos INAs no campo optoeletrônico.
A tecnologia de pontos quânticos permite que os AIN desempenhem um papel importante em campos emergentes, como a computação quântica e a bioimagem.
Com a crescente procura por dispositivos infravermelhos de alto desempenho e tecnologias quânticas, as perspectivas de investigação e aplicação dos AIN e dos seus materiais dopados são amplas.
 

 
Detalhes do InAs-ZnOrifícios
 

 
Amostragens deAs-ZnOrifícios
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