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IPD80R1K4P7 Transistor Mosfet de canal N TO-252
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IPD80R1K4P7 Transistor Mosfet de canal N TO-252
IPD80R1K4P7 Transistor Mosfet de canal N TO-252
Especificações
Number modelo :
IPD80R1K4P7
Lugar de origem :
Original
MOQ :
1PCS
Termos do pagamento :
D/A, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :
37830pcs
Prazo de entrega :
3
Detalhes de empacotamento :
4000
Conservado em estoque :
8000+
qualidade: :
Não utilizado brandnew
Pacote/caixa: :
TO-252
Descrição

ISO9001.pdf

Aplicação:
IPD80R1K4P7 é um transistor do MOSFET do N-canal de uso geral nos conversores de grande eficacia de DC-DC e nas aplicações da fonte de alimentação. Pode operar-se na baixa tensão e tem a baixa resistência e a velocidade de comutação alta, fazendo a muito apropriada para o uso em aplicações da baixa tensão.
Conclusão:
IPD80R1K4P7 tem as seguintes características:
Baixas perdas mesmas do interruptor e da condução;
Limite de alta tensão, capaz do funcionamento na alta tensão;
A velocidade de comutação alta permite conversores eficientes de DC-DC;
Estabilidade de alta temperatura, capaz do trabalho em ambientes de alta temperatura.
Parâmetros:
Os parâmetros chaves de IPD80R1K4P7 são como segue:
Corrente avaliado: 80A;
Tensão avaliado: 40V;
Tensão de fonte de alimentação máxima do dreno: 55V;
Resistência estática: 1.4m Ω;
Capacidade típica: 2000pF;
Variação da temperatura de trabalho: -55 ° C DO ° C~+175;
Tipo de empacotamento: TO-252 (DPAK).

Especificações técnicas do produto  
   
UE RoHS Complacente com 聽 da isenção
ECCN (E.U.) EAR99
Estado da parte Não-confirmado
HTS 8541.29.00.95
SVHC Sim
SVHC excede o ponto inicial Sim
Automotivo Não
PPAP Não
Categoria de produto MOSFET do poder
Configuração Único
Tecnologia de processamento CoolMOS P7
Modo do canal Realce
Tipo de canal N
Número de elementos pela microplaqueta 1
Tensão máxima da fonte do dreno (v) 800
Tensão de fonte de porta máxima (v) 20
Tensão máxima do ponto inicial da porta (v) 3,5
Dreno contínuo máximo (a) atual 4
Corrente máxima do escapamento da fonte da porta (nA) 1000
IDSS máximo (A) 1
Resistência máxima da fonte do dreno (mOhm) 1400@10V
Carga típica @ Vgs da porta (nC) 10@10V
Carga típica @ 10V da porta (nC) 10
Capacidade entrada típica @ Vds (PF) 250@500V
Dissipação de poder máxima (mW) 32000
Tempo de queda típico (ns) 20
Tempo de elevação típico (ns) 8
Tempo de atraso típico da volta-Fora (ns) 40
Tempo de atraso de ligação típico (ns) 10
Temperatura de funcionamento mínima (掳 C) -55
Temperatura de funcionamento máximo (掳 C) 150
Empacotamento Fita e carretel
Montagem Montagem de superfície
Altura do pacote 2,41 (máximo)
Largura do pacote 6,22 (máximo)
Comprimento do pacote 6,73 (máximo)
O PWB mudou 2
Aba Aba
Pacote do fornecedor DPAK
Pin Count 3
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IPD80R1K4P7 Transistor Mosfet de canal N TO-252

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Detalhes do produto
Number modelo :
IPD80R1K4P7
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Original
MOQ :
1PCS
Termos do pagamento :
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Capacidade da fonte :
37830pcs
Prazo de entrega :
3
Fornecedor de contacto
vídeo
IPD80R1K4P7 Transistor Mosfet de canal N TO-252
IPD80R1K4P7 Transistor Mosfet de canal N TO-252

HK LIANYIXIN INDUSTRIAL CO., LIMITED

Verified Supplier
4 Anos
shenzhen
Desde 2016
Tipo de empresa :
Distribuidor/atacadista
Produtos principais :
circuito integrado do CI, Circuito integrado de SMD, Circuitos integrados de Digitas
Total Anual :
6000000-1200000
Número de trabalhadores :
100~200
Nível de certificação :
Verified Supplier
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