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IPD082N10N3 TO-252 Ic Circuito Integrado N-Channel Transistor Mosfet
IPD082N10N3 TO-252 Ic Circuito Integrado N-Channel Transistor Mosfet
Especificações
Number modelo :
IPD082N10N3
Lugar de origem :
Original
MOQ :
1PCS
Termos do pagamento :
D/A, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :
57830pcs
Prazo de entrega :
3
Detalhes de empacotamento :
4000
Conservado em estoque :
8000+
qualidade: :
Não utilizado brandnew
Pacote/caixa: :
TO-252
Descrição

ISO9001.pdf

O IPD082N10N3 é um transistor MOSFET de canal N. As seguintes são suas aplicações, conclusões e parâmetros:
Aplicação:
Utilizado como interruptor de carga de alta tensão e de alta potência
Utilizado como interruptor para conversores e reguladores
Conclusão:
Capacidade de alta tensão: Vds=100V
Baixa resistência de condução: Rds (on) = 8,2m Ω (typ.)
Velocidade de comutação rápida: td (acendido) = 16ns (típico), td (desligado) = 60ns (típico)
Desempenho em altas temperaturas: pode funcionar a temperaturas de até 175 °C
Cumprir as directivas RoHS e os requisitos de livre de chumbo
Parâmetros:
Vds (voltagem da fonte de descarga): 100V
Vgs (voltagem da fonte da porta): ± 20V
Id (corrente de escoamento): 80A
Rds (on) (resistência de condução): 8,2 m Ω (tipo)
Qg (carga de porta): 135nC (típico)
Td (on) (tempo de atraso de arranque): 16 ns (típico)
Td (desligado) (tempo de atraso de desligamento): 60 ns (típico)
Tj (temperatura de junção): 175 °C
Cumprir as directivas RoHS e requisitos sem chumbo.

Especificações técnicas do produto
RoHS da UE Compatível com a isenção聽
ECCN (EUA) EAR99
Estatuto da parte Não confirmado
SVHC - Sim, sim.
SVHC excede o limiar - Sim, sim.
Automóveis Desconhecido
PPAP Desconhecido
Categoria de produtos MOSFET de potência
Configuração Solteiro
Tecnologia de processo OptiMOS 3
Modo de canal Reforço
Tipo de canal N
Número de elementos por chip 1
Voltagem máxima da fonte de escoamento (V) 100
Voltagem máxima da fonte da porta (V) ¥20
Voltagem de limiar de entrada máxima (V) 3.5
Corrente de escoamento contínua máxima (A) 80
Corrente máxima de fuga da fonte da porta (nA) 100
IDSS máximo (uA) 1
Resistência máxima da fonte de drenagem (mOhm) 8.2@10V
Carga típica da porta @ Vgs (nC) 42@10V
Carga típica da porta @ 10V (nC) 42
Capacidade de entrada típica @ Vds (pF) 2990@50V
Dissipação máxima de potência (mW) 125000
Tempo (s) típico (s) de queda 8
Tempo (s) típico (s) de subida 42
Tempo (s) de atraso típico de desligamento 31
Tempo (s) típico (s) de atraso da ligação 18
Temperatura mínima de funcionamento ( capturadoC) - 55
Temperatura máxima de funcionamento ( capturasC) 175
Embalagem fita e bobina
Instalação Montagem de superfície
Altura da embalagem 2.41 (Max)
Largura do pacote 6.22 (máximo)
Duração do pacote 6.73 (max)
PCB alterado 2
Tabela Tabela
Nome padrão do pacote TO-252
Pacote do fornecedor DPAK
Contagem de alfinetes 3
Forma do chumbo Aves-do-mar
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IPD082N10N3 TO-252 Ic Circuito Integrado N-Channel Transistor Mosfet

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Detalhes do produto
Number modelo :
IPD082N10N3
Lugar de origem :
Original
MOQ :
1PCS
Termos do pagamento :
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Capacidade da fonte :
57830pcs
Prazo de entrega :
3
Fornecedor de contacto
vídeo
IPD082N10N3 TO-252 Ic Circuito Integrado N-Channel Transistor Mosfet

HK LIANYIXIN INDUSTRIAL CO., LIMITED

Verified Supplier
3 Anos
shenzhen
Desde 2016
Tipo de empresa :
Distribuidor/atacadista
Produtos principais :
, ,
Total Anual :
6000000-1200000
Número de trabalhadores :
100~200
Nível de certificação :
Verified Supplier
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