DMT6009LSS-13 únicos transistor do canal 60V 10.8A do MOSFET N

Semicondutor discreto do MOSFET N-CH 60V 10.8A 8SO T&R 2 dos FETS

Especificação DMT6009LSS-13:

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CARACTERÍSTICAS DMT6009LSS-13
* microplaqueta passivated de vidro
* protetor da fiação incorporado
* baixa indutância
* dissipação de poder reversa máxima alta
* baixo escapamento reverso
* avaliação do ESD da classe 3 (> 20 quilovolts) pelo modelo do corpo humano

Diodos de interruptor da fonte da Anjo-tecnologia, diodos do zener, retificadores da barreira de schottky, retificadores de ponte, de proteção das tevês, do ESD dispositivos, transistor bipolares, MOSFETs, tiristores, etc., que são cumpridos com o RoHS e o padrão do ALCANCE. Nossa fábrica certificada tem mais de 500 empregados capazes de produzir componentes consistentemente seguros do semicondutor 1,5 bilhões anualmente. Nossa empresa com a gestão a mais avançada de equipamento e de sistemas do ERP é cometida a estabelecer uma boa imagem do mercado. A fábrica passou a certificação da qualidade ISO9001, certificação ambiental do sistema de gestão ISO14001. Todos os produtos passaram o teste do GV, os critérios de ROHS e de ALCANCE 1907/2010/EC 48. Com o aprimoramento contínuo da qualidade de produto e do suporte laboral pós-venda profissional, nós ganhamos a confiança dos clientes no tipo da empresa. Nossos produtos são amplamente utilizados no PODER do PC, na iluminação verde, nas caixas de set-top, em produtos digitais, no controle automotivo, industrial, no equipamento de comunicações e nos outros campos, que serve clientes em fabricantes conhecidos domésticos e estrangeiros. “A novidade, o refinamento e a novidade procurando” são tratados como nossa política de ambiente da qualidade. Nós temos a boa fé e a credibilidade em nossos produtos. Após anos de desenvolvimento, nossos produtos foram reconhecidos e elogiados pelo mercado. Nós continuaremos a inovação tecnológica a criar o valor para clientes. No futuro, nossa empresa devotar-se-á ao desenvolvimento tornando-se da indústria do mercado da eletrônica do semicondutor, em resposta aos desafios globais mais rápidos da indústria eletrónica.