Módulo FF300R12KT4 de IGBT

O coletor-emittersaturationvoltage IC do Kollektor-emissor-Sättigungsspannung = 300 A, VGE = 15 V IC = 300 A, VGE = 15 V IC = 300 A, VGE = 15 V VCE sentou 1,75 2,05 2,10 2,15 V V porta-Schwellenspannung Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Gatethresholdvoltage IC de V = 11,5 miliampères, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 5,2 5,8 6,4 V Gateladung Gatecharge VGE = -15 V… +15 µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj de V QG 2,40 = Ω Eingangskapazität Inputcapacitance de 25°C RGint 2,5 f = 1 megahertz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies N-F 19,0 Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1 megahertz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 coletores-emittercut-offcurrent do Kollektor-emissor-Reststrom de V Cres 0,81 N-F VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C CONGELA a porta-emitterleakagecurrent do Porta-emissor-Reststrom de 5,0 miliampère VCE = 0 V, VGE = 20 V, nA Einschaltverzögerungszeit de Tvj = de 25°C IGES 400, volta-ondelaytime do induktiveLast, inductiveload IC = 300 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = 1,8 o Ω TD em 0,16 0,17 0,18 µs µs µs Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Anstiegszeit, induktivAnstiegszeit, Risetime do induktiveLast, inductiveload IC = 300 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGon = 1,8 Ω tr 0,04 0.045 0,05 µs µs µs Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Abschaltverzögerungszeit, volta-offdelaytime do induktiveLast, inductiveload IC = 300 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = 1,8 Ω TD fora de 0,45 0,52 0,54 µs µs µs Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Fallzeit, induktiveLast Falltime, inductiveload IC = 300 A, VCE = 600 V VGE = ±15 V RGoff = 1,8 Ω tf 0,10 0,16 0,18 µs µs µs Tvj = volta-onenergylossperpulse IC de 25°C Tvj = de 125°C Tvj = de 150°C EinschaltverlustenergieproPuls = 300 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH VGE = ±15 V, di/dt = 6000 A/µs (Tvj = 150°C) RGon = eternidade 16,5 de 1,8 Ω 25,0 30,0 mJ mJ mJ Volta-offenergylossperpulse IC de Tvj = de 25°C Tvj = de 125°C Tvj = de 150°C AbschaltverlustenergieproPuls = 300 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH VGE = ±15 V, du/dt = 4500 V/µs (Tvj = 150°C) RGoff = 1,8 Ω Eoff 19,5 29,5 32,5 mJ mJ mJ Tvj = ≤ 15 V de 25°C Tvj = de 125°C Tvj = de 150°C Kurzschlußverhalten SCdata VGE, VCC = 900 V VCEmax = VCES - LsCE ·µs do ≤ 10 do ISC tP de di/dt, Tvj = 125°C 1200 um Wärmewiderstand, ChipbisGehäu

Q1. Que é seus termos da embalagem?

: Geralmente, nós embalamos nossos bens em umas caixas brancas neutras e em umas caixas marrons.

Se você registrou legalmente a patente, nós podemos embalar os bens em suas caixas marcadas após ter recebido suas letras da autorização.

Q2. Que é seu MOQ?

: Nós fornecemos-lhe MOQ pequeno para cada artigo, ele dependemos sua ordem específica!

Q3. Você testa ou verifica todos seus bens antes da entrega?

: Sim, nós temos o teste de 100% e verificamos todos os bens antes da entrega.

Q4: Como você faz nosso negócio relacionamento a longo prazo e bom?

Nós mantemos a boa qualidade e o preço competitivo para assegurar nossos clientes beneficia-se;

Nós respeitamos cada cliente porque nossos amigo e nós sinceramente para fazer o negócio e fazer amigos com eles, ele não somos algo que pode ser substituído.

Q5: Como nos contactar?
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