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bolacha de CdSe CdTe ZnS ZnSe dos CD da bolacha de 350um ZnO e bolacha de ZnTe
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Especificações
Number modelo :
MS
Lugar de origem :
China
MOQ :
1 parte
Termos do pagamento :
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :
10000 partes pelo mês
Prazo de entrega :
3 dias de trabalho
Detalhes de empacotamento :
Caixa de madeira forte para o transporte global
Aplicação :
dispositivo de poder, diodo emissor de luz, sensor e detector
Diâmetro :
Ø 1"/Ø 2"/Ø 3"/Ø 4"/Ø 6"
Espessura :
330 um ~ 350 um
Categoria :
Categoria da produção/categoria da pesquisa
Descrição

 

Bolacha da bolacha, dos CD de ZnO, bolacha de CdSe, bolacha de CdTe, bolacha de ZnS, bolacha de ZnSe e bolacha de ZnTe

 

Nós fornecemos bolacha de cristal de ZnO da pureza alta a única e o volume de ZnO para o dispositivo de poder, as aplicações do diodo emissor de luz, do sensor e do detector. Com uma estrutura de cristal ideal, a bolacha de ZnO (óxido de zinco) tem uma má combinação da estrutura de 2% a GaN, de que é muito menos do que a má combinação da estrutura da bolacha da safira e sic da bolacha. A bolacha de ZnO é uma da carcaça a mais apropriada para usar-se como o crescimento epitaxial de GaN e a aplicação larga do semicondutor da diferença de faixa. A bolacha de ZnO é fornecida na forma quadrada, undoped, tamanho 10 x 10 x 0,5 milímetros, os lados dobro lustraram o revestimento de superfície e orientado, nossa bolacha de alta qualidade de ZnO foi amplamente utilizada para o crescimento de

dispositivos da base do nitreto. Contacte-nos por favor para mais informações sobre o produto.

 

Aplicação da bolacha de ZnO

 

Crescimento epitaxial de GaN Detectores UV
Dispositivos de poder Dispositivos luminescentes
Fotovoltaico Sensores

 

Propriedades da bolacha de ZnO

 
Fórmula química ZnO
Estrutura de cristal Sextavado
Entrelace constante 3,3 A
Má combinação da estrutura com o GaN no plano de <0001> 9
Condutibilidade térmica 0,006 cal/cm /K
R.I. 2.0681 / 2,0510
Cara lustrada identificada Zn - cara/O - cara

Especificação de produto

 
Crescimento Hidrotermal
Volume de ZnO/bloco 26,5 x 26,5 x 10 milímetros
Bolacha de ZnO 10 x 10 x 0,5 milímetros
Orientação Cara <0001> do Zn/cara <000-1> de O
Resistividade 500 - 1000 ohm-cm
Superfície dois lados lustrados
Aspereza <= 10 A do Ra
Pacote Caixa de Membrance

 

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Detalhes do produto
Number modelo :
MS
Lugar de origem :
China
MOQ :
1 parte
Termos do pagamento :
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :
10000 partes pelo mês
Prazo de entrega :
3 dias de trabalho
Fornecedor de contacto
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HENAN ZG INDUSTRIAL PRODUCTS CO.,LTD

Active Member
5 Anos
henan, zhengzhou
Desde 2007
Tipo de empresa :
Manufacturer, Distributor/Wholesaler, Importer, Exporter
Produtos principais :
Elementos de aquecimento SiC, Elementos de aquecimento Mosi2, Peças cerâmicas industriais
Total Anual :
5000000-8000000
Número de trabalhadores :
50~100
Nível de certificação :
Active Member
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