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500Um a 625Um GaAs baseou a categoria mecânica lustrada bolacha da categoria de Epi
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Especificações
Number modelo :
MS
Lugar de origem :
China
MOQ :
1 parte
Termos do pagamento :
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :
10000 partes pelo mês
Prazo de entrega :
3 dias de trabalho
Detalhes de empacotamento :
Caixa de madeira forte para o transporte global
Aplicação :
microeletrônica, ótica eletrónica e micro-ondas do RF
Diâmetro :
Ø 3"/Ø 4" bolacha do GaAs
Espessura :
500 um ~ 625 um
Categoria :
Epi lustrou a categoria/categoria mecânica
Descrição

 

 

O GaAs baseou a bolacha de Epi

 

Nós fornecemos o crescimento epitaxial do MBE/MOCVD da estrutura feita sob encomenda na carcaça do GaAs para a microeletrônica, ótica eletrónica e aplicações da micro-ondas do RF, no diâmetro Ø 3" a Ø 4". Com nossa experiência extensiva do MOCVD, nós podemos crescer a liga binária (LT-GaAs, AlAs) ou a liga ternária (AlGaAs, InGaAs, GaAsP, InGaP) na carcaça do GaAs, estruturas do superlattice da camada do singel ou da múltiplo-camada com qualidade cristalina superior para encontrar uma variedade de necessidades do dispositivo. Nossos peritos altamente qualificados podem trabalhar com você para projetar e aperfeiçoar sua estrutura de camada do epi do GaAs. Contacte-nos por favor para mais informações sobre o produto ou discuta-o sua estrutura de camada do epi.

O GaAs baseou a capacidade da bolacha de Epi

Nossos reatores são configurados para uma variedade de sistemas e condições de processo materiais. Nós podemos fornecer a epitaxia feita sob encomenda para uma variedade de aplicações do dispositivo que variam do diodo emissor de luz aos HEMTs.
 

Capacidade material Carcaça Tamanho da bolacha
GaAs/GaAs Bolacha do GaAs Até 4 polegadas
LT-GaAs/GaAs Bolacha do GaAs Até 4 polegadas
AlAs/GaAs Bolacha do GaAs Até 4 polegadas
InAs/GaAs Bolacha do GaAs Até 4 polegadas
AlGaAs/GaAs Bolacha do GaAs Até 4 polegadas
InGaAs/GaAs Bolacha do GaAs Até 4 polegadas
InGaP/GaAs Bolacha do GaAs Até 4 polegadas
GaAsP/GaAs Bolacha do GaAs Até 4 polegadas

 

Aplicações Optoelectronic:

Fotodetector, VCSELs, diodos láser, diodo emissor de luz, SOAs, medidores de ondas.

Aplicações eletrônicas:

FETs, HBTs, HEMTs, diodos, dispositivos da micro-ondas.

 

 

Estrutura de camada de Epi (HEMT/HBT)

 
Crescimento MOCVD
Fonte do entorpecente O tipo de P/seja, tipo de N/si
Camada do tampão Camada eu-GaAs
Camada ativa camada dos n-AlGaAs
Camada do espaço camada dos i-AlGaAs
Camada do amortecedor Camada eu-GaAs
Carcaça Ø 3"/Ø 4" bolacha do GaAs

 

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Detalhes do produto
Number modelo :
MS
Lugar de origem :
China
MOQ :
1 parte
Termos do pagamento :
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :
10000 partes pelo mês
Prazo de entrega :
3 dias de trabalho
Fornecedor de contacto
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HENAN ZG INDUSTRIAL PRODUCTS CO.,LTD

Active Member
5 Anos
henan, zhengzhou
Desde 2007
Tipo de empresa :
Manufacturer, Distributor/Wholesaler, Importer, Exporter
Produtos principais :
, ,
Total Anual :
5000000-8000000
Número de trabalhadores :
50~100
Nível de certificação :
Active Member
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