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2um - silicone cerâmico técnico das peças 300um no isolador SOI Wafer
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Especificações
Number modelo :
MS
Lugar de origem :
China
MOQ :
1 parte
Termos do pagamento :
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :
10000 partes pelo mês
Prazo de entrega :
3 dias de trabalho
Detalhes de empacotamento :
Caixa de madeira forte para o transporte global
Aplicação :
circuitos integrados, dispositivo do detector/sensor, fabricação de MEMS, componentes opto-eletrônic
Diâmetro :
Ø 4"/Ø 6"/Ø 8"
Espessura do dispositivo :
2 um ~ 300 um
Revestimento :
O óxido e o nitreto podem ser fornecidos em ambos os lados da bolacha de SOI
Descrição

 

SOI Wafer (Silicone-em-isolador)

 

Nós fornecemos a bolacha de alta qualidade de SOI (Silicone-em-isolador) para uma variedade de aplicação que inclui MEMS, dispositivo de poder, sensores da pressão e de circuito integrado do CMOS fabricação. A bolacha de SOI fornece uma solução potencial para o dispositivo do consumo da alta velocidade e da baixa potência e foi reconhecida extensamente como uma solução nova para a alta tensão e os componentes do RF. A bolacha de SOI é uma estrutura do sanduíche que inclui uma camada do dispositivo (camada ativa) na parte superior, uma camada enterrada do óxido (camada SiO2 de isolamento) no meio, e uma bolacha do punho (silicone maioria) na parte inferior. As bolachas de SOI são produzidas usando SIMOX e a tecnologia de ligamento da bolacha para conseguir o diluidor e a camada precisa do dispositivo e para assegurar a exigência da uniformidade da espessura e da baixa densidade do defeito. Nós podemos fornecer a bolacha de SOI no diâmetro 4" e 8" a espessura flexível e a escala larga da resistividade para cumprir suas exigências originais de SOI. Contacte-nos para uma informações sobre o produto mais adicional de SOI.

 

SOI Wafer Application

 

 

CI de alta velocidade CI de alta temperatura
Baixa potência CI CI de baixa voltagem
Componentes da micro-ondas Dispositivo de poder
MEMS Semicondutor

 

Especificação de produto

 
Método Ligação da fusão
Diâmetro Ø 4"/Ø 6"/Ø 8"
Espessura do dispositivo 2 um ~ 300 um
Tolerância +/- 0,5 um ~ 2 um
Orientação <100>/<111>/<110> ou outro
Condutibilidade P - tipo/N - tipo/intrínseco
Entorpecente Boro/fosforoso/antimônio/arsênico
Resistividade 0,001 ~ 100000 ohm-cm
Espessura do óxido 500A ~ 4 um
Tolerância +/- 5%
Bolacha do punho >= 300 um
Superfície Os lados dobro lustraram
Revestimento O óxido e o nitreto podem ser fornecidos em ambos os lados da bolacha de SOI
 

 

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Number modelo :
MS
Lugar de origem :
China
MOQ :
1 parte
Termos do pagamento :
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :
10000 partes pelo mês
Prazo de entrega :
3 dias de trabalho
Fornecedor de contacto
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HENAN ZG INDUSTRIAL PRODUCTS CO.,LTD

Active Member
5 Anos
henan, zhengzhou
Desde 2007
Tipo de empresa :
Manufacturer, Distributor/Wholesaler, Importer, Exporter
Produtos principais :
Elementos de aquecimento SiC, Elementos de aquecimento Mosi2, Peças cerâmicas industriais
Total Anual :
5000000-8000000
Número de trabalhadores :
50~100
Nível de certificação :
Active Member
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