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Único arsenieto de gálio da bolacha de Crystal Polycrystalline GaAs para o circuito da micro-ondas do diodo emissor de luz do LD
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Especificações
Number modelo :
MS
Lugar de origem :
China
MOQ :
1 parte
Termos do pagamento :
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :
10000 partes pelo mês
Prazo de entrega :
3 dias de trabalho
Detalhes de empacotamento :
Caixa de madeira forte para o transporte global
Aplicação :
fazendo o LD, o diodo emissor de luz, o circuito da micro-ondas e as aplicações da célula solar
Diâmetro :
Ø 2"/Ø 3"/Ø 4"
Espessura :
350 um ~ 625 um
Categoria :
Epi lustrou a categoria/categoria mecânica
Descrição

Única bolacha de cristal e policristalina do GaAs (arsenieto de gálio) para fazer LD, diodo emissor de luz, circuito da micro-ondas, célula solar

 

Nós fornecemos a única bolacha de cristal e policristalina do GaAs (arsenieto de gálio) à indústria da ótica eletrónica e da microeletrônica fazendo o LD, o diodo emissor de luz, o circuito da micro-ondas e as aplicações da célula solar, na escala do diâmetro de 2" a 4". Nós oferecemos a única bolacha de cristal do GaAs produzida por duas técnicas principais LEC do crescimento e por método de VGF, permitindo que nós forneçam clientes a escolha a mais larga do material do GaAs a uniformidade alta de propertirs elétricos e da qualidade de superfície excelente. O arsenieto de gálio pode ser fornecido como os lingotes e as bolachas lustradas, conduzindo e a bolacha deisolamento do GaAs, a categoria mecânica e a categoria pronta estão tudo do epi disponíveis. Nós podemos oferecer a bolacha do GaAs com baixo valor de EPD e a qualidade de superfície alta apropriada para suas aplicações do MOCVD e do MBE, contacta-nos por favor para mais informações sobre o produto.

 

 

Característica e aplicação da bolacha do GaAs

 

Característica Campo da aplicação
Mobilidade de elétron alta Diodos luminescentes
Alta frequência Diodos láser
Eficiência de conversão alta Dispositivos fotovoltaicos
Consumo da baixa potência Transistor de mobilidade de elétron alto
Diferença de faixa direta Transistor bipolar da heterojunção

 

Especificação de produto

 
Crescimento LEC/VGF
Diâmetro Ø 2"/Ø 3"/Ø 4"
Espessura 350 um ~ 625 um
Orientação <100>/<111>/<110> ou outro
Condutibilidade P - tipo/N - tipo/Semi-isolamento
Entorpecente Zn/si/undoped
Superfície Um lado lustrou ou dois lados lustrados
Concentração 1E17 ~ 5E19 cm-3
TTV <= 10 um
Curva/urdidura <= 20 um
Categoria Epi lustrou a categoria/categoria mecânica

 

Único arsenieto de gálio da bolacha de Crystal Polycrystalline GaAs para o circuito da micro-ondas do diodo emissor de luz do LD

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Detalhes do produto
Number modelo :
MS
Lugar de origem :
China
MOQ :
1 parte
Termos do pagamento :
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :
10000 partes pelo mês
Prazo de entrega :
3 dias de trabalho
Fornecedor de contacto
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HENAN ZG INDUSTRIAL PRODUCTS CO.,LTD

Active Member
5 Anos
henan, zhengzhou
Desde 2007
Tipo de empresa :
Manufacturer, Distributor/Wholesaler, Importer, Exporter
Produtos principais :
, ,
Total Anual :
5000000-8000000
Número de trabalhadores :
50~100
Nível de certificação :
Active Member
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