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2 de 4 Ge à polegada bolachas da polegada à micro eletrônica e à indústria eletrónica Opto
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Especificações
Number modelo :
MS
Lugar de origem :
China
MOQ :
1 parte
Termos do pagamento :
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :
10000 partes pelo mês
Prazo de entrega :
3 dias de trabalho
Detalhes de empacotamento :
Caixa de madeira forte para o transporte global
Aplicação :
Dispositivo de semicondutor, microeletrônica, sensor, célula solar, sistema ótico do IR.
Diâmetro :
Ø 2"/Ø 3"/Ø 4"
Espessura :
500 um ~ 625 um
Categoria :
Categoria da eletrônica
Descrição

Bolacha do Ge à indústria da microeletrônica e da ótica eletrónica na escala do diâmetro de 2 polegadas a 4 polegadas

 

Nós somos um fornecedor mundial da única bolacha de cristal do Ge (bolacha do germânio) e único lingote de cristal do Ge, nós temos uma vantagem forte em fornecer a bolacha do Ge à indústria da microeletrônica e da ótica eletrónica na escala do diâmetro de 2 polegadas a 4 polegadas. A bolacha do Ge é uma elementar e o material popular do semicondutor, devido a suas propriedades crystallographic excelentes e às propriedades elétricas originais, bolacha do Ge é usado widly no sensor, na célula solar e nas aplicações infravermelhas do sistema ótico. Nós podemos fornecer baixas bolachas prontas do Ge da deslocação e do epi para encontrar suas necessidades originais do germânio. A bolacha do Ge é produzida conforme SEMI. padrão e embalado na gaveta padrão com o vácuo selado no ambiente do quarto desinfetado, com um sistema de controlo da boa qualidade, nós somos dedicados a fornecer produtos limpos e de alta qualidade da bolacha do Ge. Nós podemos oferecer a categoria da eletrônica e a bolacha do Ge da categoria do IR, contacta-nos por favor para mais informações sobre o produto do Ge

 

Único Crystal Germanium Wafer Capability

SWI pode oferecer a categoria da eletrônica e a bolacha do Ge da categoria do IR e o lingote do Ge, contactam-nos por favor para mais informações sobre o produto do Ge.
 

Condutibilidade Entorpecente Resistividade
(ohm-cm)		 Tamanho da bolacha
NA Undoped >= 30 Até 4 polegadas
Tipo de N Sb 0,001 ~ 30 Até 4 polegadas
Tipo de P GA 0,001 ~ 30 Até 4 polegadas

Aplicações:

Dispositivo de semicondutor, microeletrônica, sensor, célula solar, sistema ótico do IR.

 

Propriedades da bolacha do Ge

 
Fórmula química Ge
Estrutura de cristal Cúbico
Parâmetro da estrutura a=0.565754
Densidade (g/cm3) 5,323
Condutibilidade térmica 59,9
Ponto de derretimento (°C) 937,4

 

Especificação de produto

 
Crescimento Czochralski
Diâmetro Ø 2"/Ø 3"/Ø 4"
Espessura 500 um ~ 625 um
Orientação <100>/<111>/<110> ou outro
Condutibilidade P - tipo/N - tipo
Entorpecente Gálio/antimônio/Undoped
Resistividade 0,001 ~ 30 ohm-cm
Superfície SSP/DSP
TTV <= 10 um
Curva/urdidura <= 40 um
Categoria Categoria da eletrônica

 

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Detalhes do produto
Number modelo :
MS
Lugar de origem :
China
MOQ :
1 parte
Termos do pagamento :
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidade da fonte :
10000 partes pelo mês
Prazo de entrega :
3 dias de trabalho
Fornecedor de contacto
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HENAN ZG INDUSTRIAL PRODUCTS CO.,LTD

Active Member
5 Anos
henan, zhengzhou
Desde 2007
Tipo de empresa :
Manufacturer, Distributor/Wholesaler, Importer, Exporter
Produtos principais :
, ,
Total Anual :
5000000-8000000
Número de trabalhadores :
50~100
Nível de certificação :
Active Member
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