Parada de campo de alta velocidade da trincheira dos transistor IKQ100N120CH7XKSA1 IGBT de 1200V 166A

Descrição do produto de IKQ100N120CH7XKSA1

O IKQ100N120CH7XKSA1 duro-comutou 1200 V, 100 A TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 que o dispositivo discreto em um pacote do pino de TO-247PLUS 3 é projetado encontrar as necessidades de baixas aplicações do carbono tais como o picovolt solar, fontes de alimentação ininterrupta e carregamentos de bateria.

Atributos de produto de IKQ100N120CH7XKSA1

Características de IKQ100N120CH7XKSA1

• VCE = 1200 V
• IC = 100 A
• Temperatura de junção máxima Tvjmax = 175°C
• a Melhor-em-classe IGBT de alta velocidade co-embalou com corrente avaliado completa, o baixo Qrr e o diodo de alta velocidade macio-comutando
• Baixa tensão de saturação VCEsat = 1,7 V em Tvj = em 25°C

Aplicações de IKQ100N120CH7XKSA1

• UPS industrial
• EV-carregamento

Outros tipos de produto da fonte

FAQ

Q: São seus produtos originais?
: Sim, todos os produtos são importação original original, nova são nossa finalidade.
Q: Que certificados você tem?
: Nós somos empresa do ISO e membro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: Pode você apoiar a ordem ou a amostra da quantidade pequena? Está a amostra livre?
: Sim, nós apoiamos a ordem da amostra e a ordem pequena. O custo da amostra é diferente de acordo com seu ordem ou projeto.
Q: Como enviar minha ordem? É seguro?
: Nós usamo-nos expresso para enviar, como DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos igualmente usar seu remetente sugerido. Os produtos estarão no bom que embala e para assegurar-nos a segurança e seja responsável a dano do produto a sua ordem.
Q: Que sobre o prazo de execução?
: Nós podemos enviar as partes conservadas em estoque dentro de 5 dias de trabalho. Se sem estoque, nós confirmaremos o prazo de execução para você baseamos em sua quantidade da ordem.