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De IMBG65R039M1H do N-canal 650V dos MOSFETs dos transistor dispositivo de poder da trincheira sic
De IMBG65R039M1H do N-canal 650V dos MOSFETs dos transistor dispositivo de poder da trincheira sic
Especificações
Number modelo :
IMBG65R039M1H
Lugar de origem :
CN
MOQ :
10
Termos do pagamento :
T/T, L/C, Western Union
Prazo de entrega :
5-8 dias do trabalho
Detalhes de empacotamento :
TO-263-8
Número da peça :
IMBG65R039M1H
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C :
54A (Tc)
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs :
51mOhm @ 25A, 18V
Vgs - tensão da Porta-fonte :
- 5 V, + 23 V
Tipo de produto :
MOSFET
Estado do produto :
Ativo
Descrição

De IMBG65R039M1H do N-canal 650V dos MOSFETs dos transistor dispositivo de poder da trincheira sic

 

Descrição do produto de IMBG65R039M1H

Os transistor de poder do realce-modo de IMBG65R039M1H GaN estão disponíveis em um pacote da superfície-montagem de ThinPAK 5x6, ideal para as aplicações que exigem um dispositivo compacto sem um dissipador de calor.

 

Especificação de IMBG65R039M1H

Número da peça

IMBG65R039M1H

Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs

41 nC @ 18 V

Vgs (máximo)

+23V, -5V

Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds

1393 PF @ 400 V

 

Características de IMBG65R039M1H

  • Mais baixa dependência atual de Rs (sobre) e de pulso na temperatura

  • Capacidade aumentada da avalancha

 

Outros tipos de produto da fonte

Número da peça

Pacote

XC7K160T-1FB484I

BGA

XC7K160T-1FB676I

BGA

XC7K160T-2FB484I

BGA

XC7K160T-L2FBG676E

BGA

XC7K160T-2FBG676C

BGA

XC7K160T-L2FFG676I

BGA


FAQ

Q: São seus produtos originais?
: Sim, todos os produtos são importação original original, nova são nossa finalidade.
Q: Que certificados você tem?
: Nós somos empresa do ISO e membro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: Pode você apoiar a ordem ou a amostra da quantidade pequena? Está a amostra livre?
: Sim, nós apoiamos a ordem da amostra e a ordem pequena. O custo da amostra é diferente de acordo com seu ordem ou projeto.
Q: Como enviar minha ordem? É seguro?
: Nós usamo-nos expresso para enviar, como DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos igualmente usar seu remetente sugerido. Os produtos estarão no bom que embala e para assegurar-nos a segurança e seja responsável a dano do produto a sua ordem.
Q: Que sobre o prazo de execução?
: Nós podemos enviar as partes conservadas em estoque dentro de 5 dias de trabalho. Se sem estoque, nós confirmaremos o prazo de execução para você baseamos em sua quantidade da ordem.

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Detalhes do produto
Number modelo :
IMBG65R039M1H
Lugar de origem :
CN
MOQ :
10
Termos do pagamento :
T/T, L/C, Western Union
Prazo de entrega :
5-8 dias do trabalho
Detalhes de empacotamento :
TO-263-8
Fornecedor de contacto
De IMBG65R039M1H do N-canal 650V dos MOSFETs dos transistor dispositivo de poder da trincheira sic

ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Verified Supplier
4 Anos
shenzhen
Tipo de empresa :
Distribuidor/atacadista
Produtos principais :
Microplaqueta do circuito integrado, BT IC, Módulos automotivos de IGBT
Total Anual :
1000000-2000000
Número de trabalhadores :
20~50
Nível de certificação :
Verified Supplier
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