Especificações
Número do modelo :
IGLR60R190D1XUMA1
Local de origem :
CN
Quantidade mínima de encomenda :
10
Condições de pagamento :
T/T, L/C, Western Union
Tempo de entrega :
5-8 dias úteis
Detalhes da embalagem :
8-PowerTDFN
Número da parte :
IGLR60R190D1XUMA1
Tipo de montagem :
Montagem de superfície
Temperatura de funcionamento :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Dissipação de poder (máxima) :
55.5W (Tc)
Descrição

GaN IC IGLR60R190D1XUMA1 N-Channel 600V Enhancement Mode Power Transistor

 

Descrição do produtoIGLR60R190D1XUMA1

O IGLR60R190D1XUMA1 é um Transistor de Potência de Modo de Aumento de 600 V de Canal N.

 

Especificação deIGLR60R190D1XUMA1

Estatuto do produto

Atividade

Tipo de FET

N-canal

Tecnologia

GaNFET (nitreto de gálio)

Voltagem de saída para a fonte (Vdss)

600 V

Corrente - drenagem contínua (Id) @ 25°C

12.8A (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id

1.6V @ 960μA

Vgs (máximo)

-10V

Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

157 pF @ 400 V

 

Características DeIGLR60R190D1XUMA1

  • Transistor de modo de reforço

  • Mudança ultra rápida

  • Nenhuma taxa de recuperação inversa

  • Com capacidade para condução reversa

  • Baixa carga de porta, baixa carga de saída

  • Superiora robustez de comutação

 

Benefícios do IGLR60R190D1XUMA1

  • Melhora a densidade de potência

  • Permite uma frequência de funcionamento mais elevada

  • Redução dos custos do sistema

 

Aplicações deIGLR60R190D1XUMA1

  • SMPS de centros de dados industriais, de telecomunicações baseado na topologia de meia ponte (topologias de meia ponte para comutação dura e macia, como o Totem pole PFC, LLC de alta frequência).

 

Outros tipos de produtos de fornecimento

Número da parte

Pacote

IR38365MTRPBF

QFN

IR38165MTRPBF

QFN

IR35412MTRPBF

QFN

IR35401MTRPBF

QFN

IR35215MTRPBF

QFN

PM8250

BGA

PM8150B

BGA

PM3003A

BGA

QM45391

QFN

QM42391

QFN

WSA8810

BGA35

WCD9385

BGA

PMDXB600UNE

DFN6

FT234XD-R

DFN-12

EP4CE6F17C8N

BGA256

O LEA-M8F-0

Módulo 28-SMD

CYPD6227-96BZXI

QFN

CYPD6227

QFN

SPC 5744PGK1AMMM9

LFBGA257

SPC 5744PFK1AMLQ9

LQFP144

SPC 57777CDK3MME3

BGA416

SPC 56777CdK3MME4

PBGA-416

SPC 57777CDK3MMO3

LFBGA-516

SPC 57777CDK3MMO4

LFBGA516

FS32K142HAT0VLHR

LQFP-64

FS32K144UAT0VLLR

LQFP100

FS32K144WAT0WLHR

LQFP100

IWR6843ARQGALPR

FCCSP180

AWR1843ARBGALPQ1

FCBGA-180

EP2AGX45CU17I5G

BGA

 

Perguntas frequentes

P: Os seus produtos são originais?
R: Sim, todos os produtos são originais, importação original nova é o nosso propósito.
P: Que certificados tem?
R: Somos uma empresa certificada ISO 9001:2015 e membro da ERAI.
P: Pode apoiar a encomenda de pequena quantidade ou a amostra?
R: Sim, apoiamos a encomenda de amostras e pequenas encomendas. O custo da amostra é diferente de acordo com a sua ordem ou projeto.
P: Como enviar a minha encomenda?
R: Usamos express para enviar, como DHL,Fedex,UPS,TNT,EMS. Também podemos usar o seu transportador sugerido.Os produtos estarão em boas embalagens e garantir a segurança e somos responsáveis por danos ao produto para a sua ordem.
P: E quanto ao tempo de entrega?
R: Podemos enviar peças em estoque dentro de 5 dias úteis. Se não houver estoque, confirmaremos o tempo de entrega para você com base na quantidade do seu pedido.

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GaN IC IGLR60R190D1XUMA1 Transistor de potência de modo de aprimoramento de canal N 600V

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IGLR60R190D1XUMA1
Local de origem :
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Tempo de entrega :
5-8 dias úteis
Detalhes da embalagem :
8-PowerTDFN
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GaN IC IGLR60R190D1XUMA1 Transistor de potência de modo de aprimoramento de canal N 600V

ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Verified Supplier
3 Anos
shenzhen
Tipo de empresa :
Distribuidor/atacadista
Produtos principais :
, ,
Total Anual :
1000000-2000000
Número de trabalhadores :
20~50
Nível de certificação :
Verified Supplier
Fornecedor de contacto
Exigência de submissão