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PMDXB600UNE 20V Dual N Channel Trench MOSFET Transistores 6 Pacote XFDFN
PMDXB600UNE 20V Dual N Channel Trench MOSFET Transistores 6 Pacote XFDFN
Especificações
Número do modelo :
PMDXB600UNE
Lugar de origem :
CN
Quantidade Mínima de Pedido :
10
Termos de pagamento :
T/T, L/C, Western Union
Tempo de entrega :
5-8 dias úteis
Detalhes da embalagem :
6-XFDFN expôs a almofada
Número da peça :
PMDXB600UNE
Dissipação de energia :
380 mW
Tempo de outono :
51 ns
Tempo de subida :
9,2 ns
Qg - carga da porta :
PC 400
Número de canais :
2 canais
Descrição

PMDXB600UNE 20V Dual N-channel Trench MOSFET Transistores 6-XFDFN Pacote

Descrição do produto PMDXB600UNE

O PMDXB600UNE é um transistor de efeito de campo (FET) de modo de aprimoramento de canal N duplo em um pacote de plástico SMD (dispositivo montado em superfície) DFN1010B-6 (SOT1216) ultra pequeno sem chumbo usando a tecnologia Trench MOSFET.

Especificação de PMDXB600UNE

Status do produto

Ativo

Tipo FET

2 Canal N (Duplo)

Recurso FET

Porta de Nível Lógico

Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)

20V

Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C

600mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

620mOhm @ 600mA, 4,5V

Vgs(th) (Max) @ Id

950mV @ 250µA

Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs

0,7nC @ 4,5V

Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

21,3pF @ 10V

Potência - Máx.

265mW

Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem

Montagem em superfície

Pacote / Estojo

Almofada exposta 6-XFDFN

Pacote de dispositivos do fornecedor

DFN1010B-6

Características do PMDXB600UNE

  • Tecnologia MOSFET de trincheira
  • Pacote de plástico SMD ultra pequeno e ultra fino sem chumbo: 1,1 × 1,0 × 0,37 mm
  • Almofada de drenagem exposta para excelente condução térmica
  • Proteção contra descarga eletrostática (ESD) > 1 kV HBM
  • Resistência no estado ligado da fonte de dreno RDson = 470 mΩ

Aplicações de PMDXB600UNE

  • driver de relé
  • Driver de linha de alta velocidade
  • Interruptor de carga do lado baixo
  • Circuitos de comutação

Esboço do pacote de PMDXB600UNE

PMDXB600UNE 20V Dual N Channel Trench MOSFET Transistores 6 Pacote XFDFN

Perguntas frequentes
P. Seus produtos são originais?
R: Sim, todos os produtos são originais, a nova importação original é o nosso propósito.
P: quais certificados você tem?
R: Somos uma empresa certificada ISO 9001:2015 e membros da ERAI.
P: você pode oferecer suporte a pedidos ou amostras em pequenas quantidades? A amostra é grátis?
R: sim, aceitamos pedidos de amostra e pedidos pequenos. o custo da amostra é diferente de acordo com seu pedido ou projeto.
P: como enviar meu pedido?É seguro?
R: Usamos expresso para enviar, como DHL,Fedex,UPS,TNT,EMS. Também podemos usar o remetente sugerido.
P: e o prazo de entrega?
R: podemos enviar peças em estoque dentro de 5 dias úteis. se não houver estoque, confirmaremos o prazo de entrega para você com base na quantidade do pedido.

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Quantidade Mínima de Pedido :
10
Termos de pagamento :
T/T, L/C, Western Union
Tempo de entrega :
5-8 dias úteis
Detalhes da embalagem :
6-XFDFN expôs a almofada
Fornecedor de contacto
PMDXB600UNE 20V Dual N Channel Trench MOSFET Transistores 6 Pacote XFDFN

ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Verified Supplier
3 Anos
shenzhen
Tipo de empresa :
Distribuidor/atacadista
Produtos principais :
, ,
Total Anual :
1000000-2000000
Número de trabalhadores :
20~50
Nível de certificação :
Verified Supplier
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