Especificações
Number modelo :
CY7C1312KV18-300BZXC
Lugar de origem :
NC
MOQ :
10
Termos do pagamento :
T/T, L/C, Western Union
Prazo de entrega :
5-8 dias do trabalho
Detalhes de empacotamento :
FBGA165
Número da peça :
CY7C1312KV18-300BZXC
Tamanho da memória :
18 Mbits
Organização :
1 M x 18
Frequência Máxima do Relógio :
300 MHz
Tensão de alimentação - máx. :
1,9 V
Tensão de alimentação - Mín. :
1,7 V
Descrição

Memória IC CY7C1312KV18-300BZXC 1.8V SRAMs síncronos com pipeline CY7C1312 FBGA165

Descrição do produto

CY7C1312KV18-300BZXC é um SRAM Síncrono Pipelined de 1,8 V, equipado com arquitetura QDR II.A arquitetura QDR II consiste em duas portas separadas: a porta de leitura e a porta de gravação para acessar o array de memória.A porta de leitura possui saídas de dados dedicadas para suportar operações de leitura e a porta de gravação possui entradas de dados dedicadas para suportar operações de gravação.A arquitetura QDR II tem entradas e saídas de dados separadas para eliminar completamente a necessidade de 'recuperar' o barramento de dados que existe com dispositivos de E/S comuns.O acesso a cada porta é feito por meio de um barramento de endereço comum.Os endereços para leitura e gravação são travados em bordas de subida alternadas do clock de entrada (K).

Especificação de CY7C1312KV18-300BZXC

Tipo de Memória
Volátil
Formato de memória
SRAM
Tecnologia
SRAM - Síncrono, QDR II
Tamanho da memória
18Mb (1M x 18)
Interface de memória
Paralelo
Frequência do relógio
300 MHz
Tensão - Fornecimento
1,7V ~ 1,9V
Temperatura de operação
0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Pacote / Estojo
165-LBGA
Pacote de dispositivos do fornecedor
165-FBGA (13x15)


Diagrama de Blocos Lógicos

Memória IC CY7C1312KV18-300BZXC 1.8V SRAMs canalizado síncrono CY7C1312 FBGA165

Características

  • Portas de dados independentes de leitura e gravação separadas
  • Suporta transações simultâneas
  • Relógio de 333 MHz para alta largura de banda
  • Explosão de duas palavras em todos os acessos
  • Interfaces de taxa de dados dupla (DDR) nas portas de leitura e gravação (dados transferidos a 666 MHz) a 333 MHz
  • Dois clocks de entrada (K e K) para temporização DDR precisa
  • SRAM usa apenas bordas ascendentes
  • Barramento de entrada de endereço multiplexado único trava entradas de endereço para portas de leitura e gravação
  • Núcleo VDD = 1,8 V (±0,1 V);E/S VDDQ = 1,4 V para VDD
  • Suporta alimentação de 1,5 V e 1,8 VI/O
  • Disponível em pacote FBGA de 165 esferas (13 × 15 × 1,4 mm)

Foto do produto

Memória IC CY7C1312KV18-300BZXC 1.8V SRAMs canalizado síncrono CY7C1312 FBGA165

Perguntas frequentes
P. Seus produtos são originais?
R: Sim, todos os produtos são originais, a nova importação original é o nosso propósito.
P: quais certificados você tem?
R: Somos uma empresa certificada ISO 9001:2015 e membros da ERAI.
P: você pode oferecer suporte a pedidos ou amostras em pequenas quantidades? A amostra é grátis?
R: sim, aceitamos pedidos de amostra e pedidos pequenos. o custo da amostra é diferente de acordo com seu pedido ou projeto.
P: como enviar meu pedido?É seguro?
R: Usamos expresso para enviar, como DHL,Fedex,UPS,TNT,EMS. Também podemos usar o remetente sugerido.
P: e o prazo de entrega?
R: podemos enviar peças em estoque dentro de 5 dias úteis. se não houver estoque, confirmaremos o prazo de entrega para você com base na quantidade do pedido.

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5-8 dias do trabalho
Detalhes de empacotamento :
FBGA165
Fornecedor de contacto
Memória IC CY7C1312KV18-300BZXC 1.8V SRAMs canalizado síncrono CY7C1312 FBGA165
Memória IC CY7C1312KV18-300BZXC 1.8V SRAMs canalizado síncrono CY7C1312 FBGA165

ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Verified Supplier
4 Anos
shenzhen
Tipo de empresa :
Distribuidor/atacadista
Produtos principais :
, ,
Total Anual :
1000000-2000000
Número de trabalhadores :
20~50
Nível de certificação :
Verified Supplier
Fornecedor de contacto
Exigência de submissão