Especificações
Number modelo :
LMG3425R050RQZR
Lugar de origem :
NC
MOQ :
10
Termos do pagamento :
T/T, L/C, Western Union
Prazo de entrega :
5-8 dias do trabalho
Detalhes de empacotamento :
Fábrica original
Temperatura de funcionamento :
-40°C ~ 125°C (TJ)
Tensão de fonte :
7,5 V ~ 18 V
Tempo de elevação :
2,5 ns
Tempo de queda :
21 ns
Configuração :
Não-inversão
Tipo de produto :
Motoristas da porta
Descrição

FET de GaN dos motoristas da porta do motorista LMG3425R050RQZR do silicone com motorista integrado

 

Descrição

LMG3425R050RQZR integra um motorista do silicone que permita a comutação acelere a 150 V/ns. Resultados integrados da polarização da porta da precisão do TI no interruptor mais alto SOA comparado aos motoristas discretos da porta de silicone. Esta integração, combinada com o pacote da baixo-indutância do TI, entrega o interruptor limpo e a soada mínima em topologias da fonte de alimentação do duro-interruptor. A força ajustável da movimentação da porta permite o controle da taxa de pântano de 20 V/ns a 150 V/ns, que podem ser usados para controlar o IEM e aperfeiçoar ativamente o desempenho do interruptor. O LMG3425R050 inclui o modo ideal do diodo, que reduz perdas do terceiro-quadrante permitindo o controle adaptável do inoperante-tempo.

 

Especificações

Temperatura de funcionamento:

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tensão de fonte:

7,5 V ~ 18 V

Tempo de elevação:

2,5 Ns

Tempo de queda:

21 Ns

Configuração:

Não-inversão

Tipo de produto:

Motoristas da porta

 

Características
Qualificado para JEDEC JEP180 para topologias do duro-interruptor
FET do GaN-em-si 600-V com o motorista integrado da porta
Tensão de polarização integrada da porta da elevada precisão
200-V/ns CMTI
frequência 3.6MHz de comutação
20-V/ns a 150-V/ns massacrou a taxa para a otimização de comutar o desempenho e a mitigação do IEM
Opera-se de 7.5-V à fonte 18-V
Proteção robusta
a sobrecarga do Ciclo-por-ciclo e a proteção travada do shortcircuit com < 100-ns="" response=""> suportarem o duro-interruptor do quando do impulso 720-V
Autoproteção da temperatura excessiva interna e da monitoração de UVLO
Gestão avançada do poder
Saída da temperatura PWM de Digitas
O modo ideal do diodo reduz perdas do terceiro-quadrante em LMG3425R050

 

 
 

FAQ
Q. São seus produtos originais?
: Sim, todos os produtos são importação original original, nova são nossa finalidade.
Q: Que certificados você tem?
: Nós somos empresa do ISO e membro certificados 9001:2015 de ERAI.
Q: Pode você apoiar a ordem ou a amostra da quantidade pequena? Está a amostra livre?
: Sim, nós apoiamos a ordem da amostra e a ordem pequena. O custo da amostra é diferente de acordo com seu ordem ou projeto.
Q: Como enviar minha ordem? É seguro?
: Nós usamo-nos expresso para enviar, como DHL, Fedex, UPS, TNT, EMS.We podemos igualmente usar seu remetente sugerido. Os produtos estarão no bom que embala e para assegurar-nos a segurança e seja responsável a dano do produto a sua ordem.
Q: Que sobre o prazo de execução?
: Nós podemos enviar as partes conservadas em estoque dentro de 5 dias de trabalho. Se sem estoque, nós confirmaremos o prazo de execução para você baseamos em sua quantidade da ordem.

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LMG3425R050RQZR Gan Mosfet Driver Silicon Driver Gan Fet Drivers Integrated

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Number modelo :
LMG3425R050RQZR
Lugar de origem :
NC
MOQ :
10
Termos do pagamento :
T/T, L/C, Western Union
Prazo de entrega :
5-8 dias do trabalho
Detalhes de empacotamento :
Fábrica original
Fornecedor de contacto
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LMG3425R050RQZR Gan Mosfet Driver Silicon Driver Gan Fet Drivers Integrated

ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Verified Supplier
4 Anos
shenzhen
Tipo de empresa :
Distribuidor/atacadista
Total Anual :
1000000-2000000
Número de trabalhadores :
20~50
Nível de certificação :
Verified Supplier
Fornecedor de contacto
Exigência de submissão