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Módulos de Carbeto de Silício FF08MR12W1MA1B11ABPSA1 1200V Módulo Meia Ponte
Módulos de Carbeto de Silício FF08MR12W1MA1B11ABPSA1 1200V Módulo Meia Ponte
Especificações
Number modelo :
FF08MR12W1MA1B11ABPSA1
Lugar de origem :
NC
MOQ :
10
Termos do pagamento :
T/T, L/C, Western Union
Prazo de entrega :
5-8 dias do trabalho
Detalhes da embalagem :
Módulo
Número da peça :
FF08MR12W1MA1B11ABPSA1
Tipo FET :
2 Canal N (Duplo)
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) :
1200 V (1,2 kV)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C :
150A (Tj)
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
15V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
600V
Potência - Máx. :
20mW (Tc)
Temperatura de operação :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Descrição

Módulos de carboneto de silício FF08MR12W1MA1B11ABPSA1 1200V Módulo meia ponte

Visão geral de FF08MR12W1MA1B11ABPSA1

O FF08MR12W1MA1B11ABPSA1 é um módulo halfbridge de 8 mΩ que implementa o novo CoolSiC™Automotive MOSFET 1200V, sensor de temperatura NTC e tecnologia de contato PressFIT.Com a qualificação automotiva completa, o campo de aplicações do CoolSIC™ agora é estendido para aplicações automotivas de alta tensão com alta eficiência e requisitos de frequência de comutação, como conversores elevadores HV/HV DC-DC, inversores multifásicos e acionamentos auxiliares de comutação rápida como compressores de célula de combustível.

Atributos do produto de FF08MR12W1MA1B11ABPSA1

Número da peça FF08MR12W1MA1B11ABPSA1

Status do produto

Ativo

Tipo FET

2 Canal N (Duplo)

Recurso FET

Carboneto de Silício (SiC)

Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)

1200 V (1,2 kV)

Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C

150A (Tj)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9,8mOhm @ 150A, 15V

Vgs(th) (Max) @ Id

5,55V @ 90mA

Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs

15V

Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

600V

Potência - Máx.

20mW (Tc)

Temperatura de operação

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montagem

Montagem do chassi

Pacote / Estojo

Módulo

Pacote de dispositivos do fornecedor

AG-EASY1BM-2

Características do FF08MR12W1MA1B11ABPSA1

  • Alta tensão de limiar de porta impedindo ativação parasita Vth = 4,4 V
  • Tensão de condução compatível com IGBT VGS=-5V / +15V
  • Diodo intrínseco com baixa recuperação reversa
  • Baixa indutância parasita 5nH
  • Tensão de bloqueio 1200V
  • Baixas perdas de comutação
  • Baixo Qg e Crss
  • Tvjop=150°C


Aplicações potenciais de FF08MR12W1MA1B11ABPSA1

  • Aplicações automotivas
  • Veículos híbridos e elétricos a bateria
  • Veículos Comerciais, de Construção e Agrícolas
  • Conversor HV/HV DC-DC
  • Inversor Principal
  • Acionamentos Auxiliares

Contornos do pacote de FF08MR12W1MA1B11ABPSA1

Módulos de Carbeto de Silício FF08MR12W1MA1B11ABPSA1 1200V Módulo Meia Ponte

Perguntas frequentes

P. Seus produtos são originais?
R: Sim, todos os produtos são originais, a nova importação original é o nosso propósito.
P: quais certificados você tem?
R: Somos uma empresa certificada ISO 9001:2015 e membros da ERAI.
P: você pode oferecer suporte a pedidos ou amostras em pequenas quantidades? A amostra é grátis?
R: sim, aceitamos pedidos de amostra e pedidos pequenos. o custo da amostra é diferente de acordo com seu pedido ou projeto.
P: como enviar meu pedido?É seguro?
R: Usamos expresso para enviar, como DHL,Fedex,UPS,TNT,EMS. Também podemos usar o remetente sugerido.
P: e o prazo de entrega?
R: podemos enviar peças em estoque dentro de 5 dias úteis. se não houver estoque, confirmaremos o prazo de entrega para você com base na quantidade do pedido.

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FF08MR12W1MA1B11ABPSA1
Lugar de origem :
NC
MOQ :
10
Termos do pagamento :
T/T, L/C, Western Union
Prazo de entrega :
5-8 dias do trabalho
Detalhes da embalagem :
Módulo
Fornecedor de contacto
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ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Verified Supplier
4 Anos
shenzhen
Tipo de empresa :
Distribuidor/atacadista
Produtos principais :
Microplaqueta do circuito integrado, BT IC, Módulos automotivos de IGBT
Total Anual :
1000000-2000000
Número de trabalhadores :
20~50
Nível de certificação :
Verified Supplier
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