CCE 1Gbit 2.7V de W29N01HVSINA NAND Flash Memory a 3.6V TSOP-48 de 35mA 128M x 8
Especificações
Atributo de produto | Valor de atributo |
---|---|
SMD/SMT | |
1 Gbit | |
128 M x 8 | |
bocado 8 | |
2,7 V | |
3,6 V | |
35 miliampères | |
- 40 C | |
+ 85 C |
Descrição
A memória de W29N01HV (1G-bit) NAND Flash fornece uma solução do armazenamento para sistemas encaixados o espaço, os pinos e o poder limitados. É ideal para o código que sombreia a RAM, aplicações de circuito integrado e armazenando dados dos meios como, voz, vídeo, texto e fotos. O dispositivo opera-se em um único 2.7V à fonte de alimentação 3.6V com consumo atual ativo como o ponto baixo como 25mA 10uA para a corrente à espera do CMOS.
O W29N01HV apoia a relação padrão da memória Flash do NAND usando o ônibus de 8 bits multiplexado para transferir dados, endereços, e instruções do comando. Os cinco sinais de controle, CLE, CERVEJAS INGLESAS, #CE, #RE e #WE seguram o protocolo da relação de ônibus. Também, o dispositivo tem outros dois pinos de sinal, o #WP (escreva - para proteger) e o RY/#BY (pronto/ocupado) para monitorar o estado de dispositivo.
Pino TSOP1 da atribuição de Pin 48 (x8)
Figura pino TSOP1 de 3-1 Pin Assignment 48 (código S do pacote)
Características
• Características básicas
– Densidade: 1Gbit (única solução da microplaqueta)
– Vcc: 2.7V a 3.6V – largura do ônibus: x8
– Temperatura de funcionamento
• Industrial: -40°C a 85°C
• Tecnologia de uma só camada da pilha (SLC).
• Organização – densidade: 1G-bit/128M-byte
– Tamanho de página
• 2.112 bytes (2048 + 64 bytes)
– Tamanho de bloco
• 64 páginas (bytes 128K + 4K)
Guias de troca
Transporte | Período de entrega |
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Taxas de envio |
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Opção de envio |
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Retorno garantia |
Retorno |
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Garantia |
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