fototransistor sensível alto do silicone NPN do sensor da luz infra-vermelha do fototransistor do PIN SMD do pacote 2 da altura 0603 de 0.8mm
Número da peça. | Material da microplaqueta | Cor da lente | Cor da fonte |
DL-PCB00603PTC-1PT120 | Silicone | Água clara | Fototransistor |
Notas:
Avaliações máximas absolutas em Ta=25℃
Parâmetros | Símbolo | Avaliação | Unidade |
Dissipação de poder (Ou abaixo) em 25℃ livre a temperatura do ar |
PD | 100 | mW |
Tensão do Coletor-emissor | VCEO | 50 | V |
Emissor-Coletor-tensão | VECO | 5 | V |
Corrente de coletor | MIMC | 20 | miliampère |
Temperatura de funcionamento | Topr | -25 a +80 | ℃ |
Temperatura de armazenamento | Tstg | -30 a +85 | ℃ |
Temperatura de solda | Tsol | 260℃ por 5 segundos |
Características óticas elétricas em Ta=25℃
Parâmetros | Símbolo | Mínimo. | Tipo. | Máximo. | Unidade | Circunstância |
Tensão de divisão do Coletor-emissor | CEODA BV | 30 | --- | --- | V |
MimC=100μA, ² de Ee=0mW/cm |
Tensão de divisão do Emissor-coletor | BVECO | 5 | --- | --- | V |
ISTO É =100μA, ² de Ee=0mW/cm |
Tensão de saturação do Coletor-emissor | VCE(SAT) | --- | --- | 0,40 | V |
MimC=2mA, ² de Ee=1mW/cm |
Corrente escura de coletor | MIMCEO | --- | --- | 100 | nA |
VCE=20V, ² de Ee=0mW/cm |
Na corrente de coletor do estado | MIMC(SOBRE) | 0,67 | 1,50 | --- | miliampère |
VCE=5V, ² de Ee=1mW/cm |
Tempo de elevação ótico (10% 90%) | TR | --- | 15 | --- | μs |
VCE=5V, MimC=1mA, RL=1000Ω |
Tempo de queda ótico (90% 10%) | TF | --- | 15 | --- | ||
Ângulo da recepção | 2θ1/2 | --- | 120 | --- | Grau | |
Comprimento de onda da sensibilidade máxima | λP | --- | 940 | --- | nanômetro | |
Soou da largura de banda espectral | λ0.5 | 400 | --- | 1100 | nanômetro |
(Temperatura 25℃ ambiental salvo disposição em contrário)