Mo + disco da liga do molibdênio de 0.40-0.55%Ti + de 0.06-0.12%Zr TZM

1. Descrição do disco da liga do molibdênio de Mo+0.4~0.55%Ti+0.06~0.12%Zr TZM:

O disco da liga do molibdênio de TZM é atualmente o material de alta temperatura da liga a mais excelente do molibdênio. É endurecimento contínuo de uma solução e liga molibdênio-baseada reforçada partícula, TZM é mais duro do que o metal puro do molibdênio, e tem uma temperatura mais alta do recrystallization e a melhor resistência de rastejamento, a temperatura do recrystallization é o ℃ aproximadamente 1400, muito mais alto para o molibdênio, ele pode fornecer o melhor solderability.

2. Tamanho do disco da liga do molibdênio de Mo+0.4~0.55%Ti+0.06~0.12%Zr TZM:

Diâmetro do disco: 20-600mm

Espessura do disco: 6-25mm

Superfície: preto, C.C, brilhante, lustrado

Padrão: ASTMB 386

Igualmente nós podemos processar conforme o pedido do cliente.

3. propriedades mecânicas do disco da liga do molibdênio de Mo+0.4~0.55%Ti+0.06~0.12%Zr TZM:

4. Composição quimica medida real do disco da liga do molibdênio de TZM:

5. aplicação do disco da liga do molibdênio de Mo+0.4~0.55%Ti+0.06~0.12%Zr TZM:

Disco da liga do molibdênio de TZM usado principalmente para componentes de alta temperatura da fornalha, cadinhos, mísseis e o outro bocal de foguete sob a alta temperatura.

O disco da liga do molibdênio de TZM é amplamente utilizado como materiais do contato nos diodos de retificadores controlados do silicone, nos transistor e nos tiristores (GTO). A não ser em aplicações do especialista, o molibdênio é aceitado agora como o primeiro material de montagem bem escolhido para os dispositivos de semicondutor do poder devido a seus significativamente mais barato e peso. O fato de que ambos os materiais têm um coeficiente de expansão similar ao silicone combinado com a condutibilidade térmica alta faz-lhes uma escolha ideal, especialmente nos dispositivos de poder da grande área onde o calor considerável é gerado. Umas aplicações mais adicionais incluem o uso do molibdênio como bases do dissipador de calor em IC, em LSI e em circuitos híbridos.

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