Descrição do produto:

O MOSFET de baixa tensão é um dispositivo semicondutor de última geração adaptado para atender às crescentes demandas de eficiência energética e densidade de potência em uma ampla gama de aplicações eletrônicas.Este produto foi concebido utilizando um processo de estrutura de trincheira/SGT (Trincheira de Portão Escudo) sofisticado, que combina as vantagens da tecnologia de trincheira e da inovação SGT. Esta integração única garante que o MOSFET de Baixa Tensão se destaque no mercado,fornecendo um desempenho de primeira linha que é difícil de igualar.

Um dos atributos destacados do MOSFET de baixa tensão de trincheira é seu RSP menor (Rdson * Área), que é um resultado direto do processo de trincheira.A tecnologia de trincheira permite um projeto de célula mais compacto, o que não só reduz a resistência, mas também minimiza a pegada geral do MOSFET.Isso resulta em um dispositivo que pode fornecer alta densidade de corrente, mantendo um baixo perfil térmico, tornando-o ideal para aplicações de espaço limitado onde a gestão térmica é crítica.

Além disso, a flexibilidade oferecida por estes dispositivos é incomparável; ambas as configurações em série e paralelas podem ser livremente combinadas e utilizadas.Esta versatilidade garante que o MOSFET de baixa tensão do Trench possa ser adaptado a uma infinidade de projetos de circuitos, permitindo que os engenheiros otimizem seus sistemas de gerenciamento de energia para desempenho, tamanho ou custo, dependendo de suas necessidades específicas.

Outra vantagem significativa deste produto é derivada do processo SGT, que proporciona uma otimização FOM (Figure of Merit) inovadora.O FOM é um parâmetro crítico que mede a eficiência do MOSFET considerando tanto a resistência como a carga da portaAo otimizar este parâmetro, o MOSFET de Baixa Tensão oferece uma eficiência excepcional, tornando-o adequado para um amplo espectro de aplicações.de potência não superior a 50 W, mas não superior a 50 W,.

O processo SGT também melhora significativamente a capacidade EAS (Energy Avalanche and Single Pulse) do MOSFET.Alta capacidade de EAS implica que o dispositivo pode suportar pulsos de alta energia sem falha, que é particularmente importante para aplicações propensas a condições transitórias ou que exigem robustez contra picos de tensão inesperados.Esta robustez prolonga a vida útil do MOSFET e a fiabilidade geral do sistema que ele é usado em.

Em termos de consumo de energia, o MOSFET de baixa tensão se destaca por sua baixa perda de energia.Quando a eficiência se traduz diretamente em economia de custos e redução do impacto ambientalAo minimizar a energia dissipada como calor, estes MOSFETs não só contribuem para uma operação mais ecológica, mas também reduzem a necessidade de soluções de arrefecimento elaboradas, conservando ainda mais espaço e recursos.

A característica de MOSFET de baixo vgs é outro destaque desta linha de produtos. Uma baixa tensão de limiar da porta de origem (Vgs) garante que o MOSFET possa operar efetivamente em tensões mais baixas,que é crucial para dispositivos movidos a bateria e outras aplicações em que a disponibilidade de energia é limitadaA capacidade de alternar de forma eficiente a baixas tensões também ajuda a reduzir as perdas de alternar, contribuindo para a eficiência energética global do sistema.

A integração dos processos Trench e SGT no MOSFET de baixa tensão permite uma combinação excepcional de baixa resistência, alta velocidade de comutação e robustez,tornando-se uma excelente escolha para os projetistas que procuram melhorar o desempenho e a fiabilidade dos seus sistemas de gestão de energiaCom a capacidade de lidar com correntes elevadas e pulsos de energia, mantendo um baixo consumo de energia e uma operação eficiente a baixas tensões de porta,O MOSFET de Baixa Tensão é um componente versátil que cobre mais aplicações do que nunca.

Características:

• Nome do produto: MOSFET de baixa tensão
• Aplicação do processo de trincheira:
  • Carregamento sem fio
  • Carregamento rápido
  • Motorista
  • Conversor DC/DC
  • Comutador de alta frequência
  • Rectificação sincrónica
• Eficiência: Alta eficiência e fiabilidade
• Processo de construção: trincheira/SGT
• Vantagens do processo SGT:
  • Optimização de FOM de avanço
  • Abrangendo mais aplicações
• MOSFET de baixa tensão: Otimizado para aplicações de baixa tensão
• MOSFET de baixo Vgs: adequado para circuitos com baixos requisitos de tensão de fonte de porta
• MOSFET de potência de baixa tensão: ideal para projetos de eficiência energética

Parâmetros técnicos:

Aplicações:

O REASUNOS Low Voltage MOSFET é um dispositivo semicondutor de alto desempenho projetado para uma variedade de aplicações.É ideal para cenários em que a gestão eficiente da energia é crucial.Este FET de baixa tensão é um elemento básico nas indústrias devido à sua notável capacidade EAS, garantindo fiabilidade e durabilidade nas situações mais exigentes.A marca REASUNOS é sinônimo de qualidade e desempenho.

Com foco em baixa perda de energia, o MOSFET de baixa tensão é uma excelente escolha para aplicações como carregamento sem fio, fornecendo uma transferência de energia eficiente e eficiente.O seu baixo limiar de VGS garante um desempenho óptimo em aplicações de carregamento rápido, permitindo uma entrega rápida e eficiente de energia aos dispositivos. Nos sistemas de motorista, o MOSFET de baixa tensão REASUNOS é fundamental para controlar e gerenciar a potência com precisão,permitindo operações motoras suaves e eficazes.

O dispositivo também é perfeitamente adequado para conversores DC/DC, onde a sua capacidade de lidar com comutação de alta frequência é crítica.conduzindo a uma melhor eficiência e maior duração dos sistemas de energiaPara aplicações que envolvem retificação síncrona, o MOSFET REASUNOS destaca-se por minimizar a perda de energia e maximizar a eficiência de conversão,tornando-o um componente chave no desenvolvimento de fontes de alimentação de poupança de energia.

Cada MOSFET de baixa tensão é meticulosamente embalado em embalagens tubulares à prova de poeira, à prova de água e antiestáticas para garantir a máxima proteção durante o transporte.Em seguida, são colocadas dentro de uma caixa de papelão e seguradas em caixas de papelão para segurança adicionalCom uma capacidade de abastecimento de 5KK por mês, a REASUNOS pode satisfazer as demandas de projetos de pequena e grande escala.

No que diz respeito aos contratos públicos, a marca REASUNOS mantém condições de pagamento transparentes e simples com um adiantamento de 100% T/T (EXW), garantindo um processo de transação seguro e eficiente.Os clientes são encorajados a confirmar o preço com base na configuração específica do produto que necessitamEsta atenção aos pormenores e às opções de personalização torna a REASUNOS uma escolha preferida por engenheiros e compradores, que procuram uma solução FET de baixa tensão e confiável para os seus projetos eletrónicos.

Apoio e Serviços:

Our Low Voltage MOSFET products are supported by a comprehensive technical support and services package designed to provide our customers with the resources they need to successfully implement our components in their applicationsNosso suporte inclui documentação detalhada do produto, notas de aplicação e ferramentas de design para ajudar na seleção de dispositivos e otimização de aplicações.

O suporte técnico está disponível através de uma extensa biblioteca de recursos online, incluindo FAQs, guias de solução de problemas e recomendações de melhores práticas.Oferecemos modelos de simulação e software para ajudar a prever o desempenho do dispositivo e facilitar o projeto de circuitos.

Estamos empenhados em fornecer um serviço de alta qualidade para garantir a integração bem-sucedida de nossos produtos MOSFET de baixa tensão em seus projetos.Por favor, observe que, embora nos esforcemos para fornecer um apoio abrangente, as informações de contacto directas não estão incluídas nesta declaração e devem ser obtidas separadamente.

Embalagem e transporte:

O produto MOSFET de baixa tensão será embalado com segurança em material antiestático para garantir a entrega segura e a proteção contra descargas eletrostáticas (ESD).Cada MOSFET será individualmente envolvido dentro de uma manga protetora, e várias unidades serão alojadas coletivamente dentro de uma caixa robusta e amarrada, projetada para suportar condições de transporte padrão.

O exterior da embalagem deve estar claramente rotulado com o tipo de produto, instruções de manuseio e quaisquer advertências necessárias.A caixa será selada com fita anti-alteração para fornecer uma camada adicional de segurançaPara remessas internacionais, toda a documentação aduaneira necessária será anexada à parte exterior do pacote num compartimento visível e à prova de intempéries.

Antes do envio, cada pacote será submetido a uma inspeção final para garantir que o produto cumpra os nossos padrões de qualidade e que a embalagem seja segura.O pacote será enviado através do nosso fornecedor de logística de confiança, e um número de rastreamento será fornecido ao cliente para permitir o acompanhamento em tempo real do carregamento até chegar ao seu destino.