Baixo vazamento de alta frequência SiC power semicondutor processo estável e qualidade confiável
O SiC Power Semiconductor é um dispositivo semicondutor de potência feito de materiais de carburo de silício (SIC).um semicondutor de potência elétrica confiável e eficiente, concebido para satisfazer os mais elevados padrões de eficiência e fiabilidadeTem uma potência elevada, grande dissipação de calor, baixo Rds ((ON), baixo vazamento e alta eficiência.O SiC Power Semiconductor é uma escolha ideal para uma variedade de aplicações elétricasAlém disso, possui baixas taxas de vazamento e foi projetado para fornecer uma longa vida útil com manutenção mínima.A SiC Power Semiconductor é a escolha perfeita para quem procura uma solução avançada e fiável para as suas necessidades de energia.
Parâmetros | Valores |
---|---|
Nome do produto | Semicondutor de potência de SiC |
Tipo | N |
Capacidade de junção | Capacidade de junção baixa |
Voltagem | Alta tensão |
Vantagens | Processo estável e qualidade confiável |
Eficiência | Eficiência elevada |
Frequência | Frequência elevada |
Fugas | Baixo vazamento |
Potência | Alto Poder |
Dissipação de calor | Grande dissipação de calor |
O semicondutor de potência de alta tensão REASUNOS é um dispositivo semicondutor de potência elétrica confiável e econômico que fornece alta potência e grande dissipação de calor.Possui baixa capacidade de junção e baixa fugaÉ disponível em embalagens tubulares à prova de poeira, à prova de água e antistáticas, colocadas dentro de uma caixa de papelão em caixas de papelão.Com uma quantidade total de 2 a 30 diasA capacidade de abastecimento é de até 5KK por mês.
Oferecemos uma gama de suporte técnico e serviços para produtos SiC Power Semiconductor, incluindo:
Nossa experiente equipe de pessoal de suporte técnico está disponível para ajudá-lo com quaisquer perguntas ou problemas que você possa ter com seu produto SiC Power Semiconductor.Estamos empenhados em lhe proporcionar a melhor experiência de atendimento ao cliente possível.
Embalagem e transporte de semicondutores de potência SiC: