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Tensão de divisão 250 V da Dreno-fonte do MOSFET P-Chan das peças IRFR9214PBF da aviação
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Tensão de divisão 250 V da Dreno-fonte do MOSFET P-Chan das peças IRFR9214PBF da aviação
Especificações
Number modelo :
IRFR9214PBF
MOQ :
PCes 1
Termos do pagamento :
L/C, T/T
Detalhes de empacotamento :
caixas
Fabricante: :
VISHAY
Categoria de produto :
MOSFET
Tecnologia :
Si
Montando o estilo :
SMD/SMT
Pacote/caso :
TO-252-3
Polaridade do transistor :
P-canal
Identificação - Corrente contínua do dreno :
2,7 A
RDS - na resistência da Dreno-fonte :
3 ohms
Descrição

Peças de aviação IRFR9214PBF MOSFET P-Chan Fonte de dreno Tensão de ruptura 250 V


Descrições das peças de aviação:

Os MOSFETs de potência de terceira geração da Vishay utilizam técnicas avançadas de processamento para obter baixa resistência por área de silício.Esse benefício, combinado com a velocidade de comutação rápida e o design de dispositivo robusto pelo qual os MOSFETs de potência são bem conhecidos, fornece ao projetista um dispositivo extremamente eficiente e confiável para uso em uma ampla variedade de aplicações.O DPAK foi projetado para montagem em superfície usando técnicas de soldagem em fase de vapor, infravermelho ou onda.A versão de chumbo reto (série IRFU, SiHFU) é para aplicações de montagem de furo passante.Níveis de dissipação de energia de até 1,5 W são possíveis em aplicações típicas de montagem em superfície.

Características das peças de aviação:

  • Tecnologia de processo avançada
  • Totalmente classificado como avalanche
  • Montagem em superfície (IRFR9214, SiHFR9214)
  • Ponta reta (IRFU9214, SiHFU9214)
  • canal P
  • Mudança rápida


Especificações das peças de aviação:

Atributo do produtoValor do atributo
Fabricante:Vishay
Categoria de Produto:MOSFET
RoHS:Detalhes
Tecnologia:Si
Estilo de montagem:SMD/SMT
Pacote / Estojo:TO-252-3
Polaridade do transistor:Canal P
Número de canais:1 canal
Vds - Tensão de interrupção da fonte de dreno:250 V
Id - Corrente de Drenagem Contínua:2,7 A
Rds On - Resistência da Fonte de Dreno:3 ohms
Vgs - Tensão da Fonte do Gate:- 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensão limite da fonte de porta:4V
Qg - Carga do Portão:14 nC
Temperatura operacional mínima:- 55 C
Temperatura operacional máxima:+ 150 C
Pd - Dissipação de energia:50 W
Modo de Canal:Aprimoramento
Series:IRFR/U
Embalagem:Tubo
Marca:Semicondutores Vishay
Configuração:Solteiro
Altura:2,38 mm
Comprimento:6,73 mm
Tipo de Produto:MOSFET
Quantidade do pacote de fábrica:3000
Subcategoria:MOSFETs
Largura:6,22 mm
Unidade de peso:0,011640 onças



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MOQ :
PCes 1
Termos do pagamento :
L/C, T/T
Detalhes de empacotamento :
caixas
Fabricante: :
VISHAY
Categoria de produto :
MOSFET
Fornecedor de contacto
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Desde 2010
Tipo de empresa :
Exporter, Trading Company, Seller
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