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Bolacha piezoelétrica da modulação de alta velocidade e da largura de banda larga com probabilidade de intercepção de LNOI
Bolacha piezoelétrica da modulação de alta velocidade e da largura de banda larga com probabilidade de intercepção de LNOI
Especificações
Number modelo :
Bolacha de LNOI
Lugar de origem :
CHINA
MOQ :
25 unidades
Termos do pagamento :
T/T
Capacidade da fonte :
1000 PCes/mês
Prazo de entrega :
1-4 semanas
Detalhes de empacotamento :
O pacote do frasco da gaveta, vácuo selou
Produto :
Piezo na isolação
Diâmetro :
4 polegadas, 6 polegadas
Camada superior :
Niobato De Lítio
Espessura superior :
300~600nm
Insolação :
Óxido SiO2 térmico
Espessura da insolação :
2000±15nm; 3000±50nm; 4700±100nm
Carcaça :
silicone
Aplicação :
Medidores de ondas óticos e Microwaveguides
Descrição

Permitindo a modulação de alta velocidade e a largura de banda larga com probabilidade de intercepção de LNOI

 

Piezo na isolação (probabilidade de intercepção) refere uma tecnologia onde os materiais piezoelétricos sejam integrados em uma carcaça de isolamento. Isto permite a utilização do efeito piezoelétrico ao fornecer o isolamento elétrico. A tecnologia da probabilidade de intercepção permitem o desenvolvimento de vários dispositivos e os sistemas que aproveitam as propriedades originais de materiais piezoelétricos para a detecção, a atuação, e a energia que colhe aplicações.

 

A tecnologia da probabilidade de intercepção (Piezo na isolação) encontra várias aplicações nos campos diferentes devido a sua capacidade para combinar as vantagens de materiais piezoelétricos com o isolamento elétrico. Como sensores, sistemas e armazenamento e geração de energia Microelectromechanical.

 

A versatilidade de integrar materiais piezoelétricos em uma carcaça de isolamento para abrir as possibilidades para soluções inovativas em campos diversos, incluindo a eletrônica, energia, cuidados médicos, e mais.

 

 

Bolacha de LNOI
Estrutura LN/SiO2/si LTV/PLTV < 1="">) do milímetro2do ∗ 5/95%
Diâmetro ± Φ100 0,2 milímetros Borda Exclution 5 milímetros
Espessura 500 μm do ± 20 Curva Dentro do μm 50
Comprimento liso preliminar ± 47,5 2 milímetros
± 57,5 2 milímetros		 Aparamento da borda ± 2 0,5 milímetros
Chanfradura da bolacha R do tipo Ambiental Rohs 2,0
Camada superior de LN
Espessura média 400/600±10 nanômetro Uniformidade < 40nm="">
Índice da refração nenhuns > 2,2800, ne < 2=""> Orientação ± 0.3° da linha central de X
Categoria Ótico Ra de superfície < 0="">
Defeitos >1mm nenhuns;
≦1milímetrodentrode300totais		 Delaminação Nenhum
Risco >1cm nenhuns;
≦1cmdentrode3		 Plano preliminar Perpendicular ao ± 1° da linha central de +Y
Isolamento SiO2 camadas
Espessura média 2000nm ± 100nm do ± 50nm 4700nm do ± 15nm 3000nm Uniformidade <>
Fabuloso. Método Óxido térmico Índice da refração 1.45-1.47 @ 633 nanômetro
Carcaça
Material Si Orientação <100> ± 1°
Orientação lisa preliminar <110> ± 1° Resistividade > kΩ 10·cm
Contaminação da parte traseira Nenhuma mancha visível Parte traseira Gravura em àgua forte

 

 

Bolacha piezoelétrica da modulação de alta velocidade e da largura de banda larga com probabilidade de intercepção de LNOIBolacha piezoelétrica da modulação de alta velocidade e da largura de banda larga com probabilidade de intercepção de LNOI

 


 

Bolacha piezoelétrica da modulação de alta velocidade e da largura de banda larga com probabilidade de intercepção de LNOI

 

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Bolacha de LNOI
Lugar de origem :
CHINA
MOQ :
25 unidades
Termos do pagamento :
T/T
Capacidade da fonte :
1000 PCes/mês
Prazo de entrega :
1-4 semanas
Fornecedor de contacto
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Bolacha piezoelétrica da modulação de alta velocidade e da largura de banda larga com probabilidade de intercepção de LNOI

Hangzhou Freqcontrol Electronic Technology Ltd.

Verified Supplier
4 Anos
shanghai, hangzhou
Desde 1999
Tipo de empresa :
Manufacturer, Trading Empresa
Produtos principais :
, ,
Total Anual :
800M-1500M
Número de trabalhadores :
10~99
Nível de certificação :
Verified Supplier
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