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Resistência alta Sapphire Polished Wafer cristal ótico do C-plano de 3 polegadas
Resistência alta Sapphire Polished Wafer cristal ótico do C-plano de 3 polegadas
Resistência alta Sapphire Polished Wafer cristal ótico do C-plano de 3 polegadas
Resistência alta Sapphire Polished Wafer cristal ótico do C-plano de 3 polegadas
Especificações
Number modelo :
Safira (Al2O3)
Lugar de origem :
China
MOQ :
5 partes
Termos do pagamento :
T/T
Capacidade da fonte :
10000 partes/mês
Prazo de entrega :
1-4 semanas
Detalhes de empacotamento :
Gaveta, frasco, pacote do filme
Material :
Sapphire Wafer
Método do crescimento :
Método de Kyropoulos
Ponto de derretimento :
°C 2040
Condutibilidade térmica :
27,21 com (m x K) em 300 K
CTE :
5,6 x 10 -6 /K (C-linha central paralela) & 5,0 (C-linha central perpendicular) x 10 -6 /K
Dureza :
Knoop 2000 kg/mm 2 com o indenter 2000g
Capacidade de calor específico :
419 j (quilograma x K)
Const dielétrico. :
11,5 (C-linha central paralela) 9,4 (C-linha central perpendicular) em 1MHz
Descrição

Resistência alta Sapphire Polished Wafer cristal ótico do C-plano de 3 polegadas

 

A safira é um único cristal da alumina e é o material segundo-o mais duro na natureza, após o diamante. A safira tem o bom transmitância claro, de grande resistência, resistência da colisão, veste a resistência, resistência de corrosão e a resistência do alto temperatura e a de alta pressão, biocompatibility, é um material ideal da carcaça para a produção dos dispositivos optoelectronic do semicondutor, as propriedades elétricas da safira para fazê-la transformar-se o material da carcaça para a produção do diodo emissor de luz branco e azul.

 

Resistência alta Sapphire Polished Wafer cristal ótico do C-plano de 3 polegadasResistência alta Sapphire Polished Wafer cristal ótico do C-plano de 3 polegadasResistência alta Sapphire Polished Wafer cristal ótico do C-plano de 3 polegadas

 

Artigo

C-plano 3-inch (0001) 500μm Sapphire Wafers

Crystal Materials

99.999%, pureza alta, Al2O3 Monocrystalline

Categoria

Principal, Epi-pronto

Orientação de superfície

C-plano (0001)

fora-ângulo do C-plano para a M-linha central 0,2 +/- 0.1°

Diâmetro

76,2 milímetro +/- 0,1 milímetros

Espessura

μm 500 +/- μm 25

Orientação lisa preliminar

Um-plano (11-20) +/- 0.2°

Comprimento liso preliminar

22,0 milímetro +/- 1,0 milímetros

Único lateral lustrado

Front Surface

Epi-lustrado, Ra < 0="">

(SSP)

Superfície traseira

Terra fina, Ra = 0,8 μm ao μm 1,2

Lateral dobro lustrado

Front Surface

Epi-lustrado, Ra < 0="">

(DSP)

Superfície traseira

Epi-lustrado, Ra < 0="">

TTV

< 15="">

CURVA

< 15="">

URDIDURA

< 15="">

Limpeza/que empacota

Limpeza da sala de limpeza da classe 100 e empacotamento de vácuo,

25 partes em uma gaveta que empacota ou único que empacota da parte.

 

Artigo

C-plano 4-inch (0001) 650μm Sapphire Wafers

Crystal Materials

99.999%, pureza alta, Al2O3 Monocrystalline

Categoria

Principal, Epi-pronto

Orientação de superfície

C-plano (0001)

fora-ângulo do C-plano para a M-linha central 0,2 +/- 0.1°

Diâmetro

100,0 milímetro +/- 0,1 milímetros

Espessura

μm 650 +/- μm 25

Orientação lisa preliminar

Um-plano (11-20) +/- 0.2°

Comprimento liso preliminar

30,0 milímetro +/- 1,0 milímetros

Único lateral lustrado

Front Surface

Epi-lustrado, Ra < 0="">

(SSP)

Superfície traseira

Terra fina, Ra = 0,8 μm ao μm 1,2

Lateral dobro lustrado

Front Surface

Epi-lustrado, Ra < 0="">

(DSP)

Superfície traseira

Epi-lustrado, Ra < 0="">

TTV

< 20="">

CURVA

< 20="">

URDIDURA

< 20="">

Limpeza/que empacota

Limpeza da sala de limpeza da classe 100 e empacotamento de vácuo,

25 partes em uma gaveta que empacota ou único que empacota da parte.

 

Artigo

C-plano 6-inch (0001) 1300μm Sapphire Wafers

Crystal Materials

99.999%, pureza alta, Al2O3 Monocrystalline

Categoria

Principal, Epi-pronto

Orientação de superfície

C-plano (0001)

fora-ângulo do C-plano para a M-linha central 0,2 +/- 0.1°

Diâmetro

150,0 milímetro +/- 0,2 milímetros

Espessura

μm 1300 +/- μm 25

Orientação lisa preliminar

Um-plano (11-20) +/- 0.2°

Comprimento liso preliminar

47,0 milímetro +/- 1,0 milímetros

Único lateral lustrado

Front Surface

Epi-lustrado, Ra < 0="">

(SSP)

Superfície traseira

Terra fina, Ra = 0,8 μm ao μm 1,2

Lateral dobro lustrado

Front Surface

Epi-lustrado, Ra < 0="">

(DSP)

Superfície traseira

Epi-lustrado, Ra < 0="">

TTV

< 25="">

CURVA

< 25="">

URDIDURA

< 25="">

Limpeza/que empacota

Limpeza da sala de limpeza da classe 100 e empacotamento de vácuo,

25 partes em uma gaveta que empacota ou único que empacota da parte.

 

Resistência alta Sapphire Polished Wafer cristal ótico do C-plano de 3 polegadas

 

Verificação de aceitação

Resistência alta Sapphire Polished Wafer cristal ótico do C-plano de 3 polegadas

 

1. O produto é frágil. Nós embalamo-lo adequadamente e etiquetamo-lo frágil. Nós entregamos através das empresas expressas domésticas e internacionais excelentes para assegurar a qualidade do transporte.

 

2. Após ter recebido os bens, segure por favor com cuidado e para verificar se a caixa exterior esteja nas boas condições. Abra com cuidado a caixa exterior e verifique se as caixas de embalagem sejam em alinhamento. Tome uma imagem antes que você os remova.

 

3. Abra por favor o pacote do vácuo em um quarto desinfetado quando os produtos devem ser aplicada.

 

4. Se os produtos são encontrados danificados durante o correio, tome por favor uma imagem ou grave um vídeo imediatamente. Não tome os produtos danificados fora da caixa de empacotamento! Contacte-nos imediatamente e nós resolveremos o problema bem.

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Safira (Al2O3)
Lugar de origem :
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MOQ :
5 partes
Termos do pagamento :
T/T
Capacidade da fonte :
10000 partes/mês
Prazo de entrega :
1-4 semanas
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Resistência alta Sapphire Polished Wafer cristal ótico do C-plano de 3 polegadas
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Hangzhou Freqcontrol Electronic Technology Ltd.

Verified Supplier
4 Anos
shanghai, hangzhou
Desde 1999
Tipo de empresa :
Manufacturer, Trading Empresa
Produtos principais :
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Total Anual :
800M-1500M
Número de trabalhadores :
10~99
Nível de certificação :
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